日前，通過近兩年的努力，國內第一個低溫可充氣真空輻射系統由中科院微電子所硅器件與集成技術研究室(一室)研制成功。

　　該低溫測試系統由一室可靠性測試小組的劉剛、畢津順、曾傳濱等科研人員自行設計完成，其極限真空<10-7Pa，12小時靜態漏氣<0.1Pa，氣體充氣能力為1Pa—1MPa，液氮溫度連續實驗時間>5小時。

　　通過該測試系統，研究人員首次測到電子元器件在液氮低溫環境下總劑量效應的實驗數據和封裝氣體環境對電子元器件總劑量效應的實驗數據，實驗數據表明電子元器件在低溫輻射總劑量效應影響比室溫輻射影響要惡劣數倍，即使經室溫退火后總劑量效應的影響仍然非常嚴重。該低溫測試平臺將為微電子所的相關電子元器件低溫環境下總劑量效應的機理研究提供可靠和穩定的低溫測試支撐平臺。