日前，由中國科學院微電子研究所設計研發的15-43A /1200V IGBT系列產品（采用Planar NPT器件結構）在華潤微電子工藝平臺上流片成功，各項參數均達到設計要求，部分性能優于國外同類產品。這是國內首款自主研制可產業化的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）產品，標志著我國全國產化IGBT芯片產業化進程取得了重大突破，擁有了第一條專業的完整通過客戶產品設計驗證的IGBT工藝線。 

　　該科研成果主要面向家用電器應用領域，聯合江蘇矽萊克電子科技有限公司進行市場推廣，目前正由國內著名的家電企業用戶試用，微電子所和華潤微電子將聯合進一步推動國產自主IGBT產品的大批量生產。 

　　IGBT作為新型電力電子器件的典型代表，廣泛應用于智能電網、新能源發電、新能源汽車、工業變頻、機電一體化、家用電器等諸多領域，是關系國家能源、交通、工業、家電等國計民生的核心電子元器件。由于國內IGBT制造工藝的落后，嚴重制約了我國IGBT產品的全國產化和產業化進程，技術和市場完全被少數國外企業壟斷，尤其在高端應用領域。 

　　定位于“滿足國家戰略需求” 目標的中國科學院微電子研究所，在VDMOS、IGBT等功率器件領域的研制有二十多年的技術積累和基礎，為我國微電子技術和產業發展做出了重要貢獻，培育了一批優秀的功率器件和工藝設計研發團隊，建設擁有世界先進的功率器件全參數測試平臺，并正在建設全面的可靠性設計測試分析平臺。為面向國家新興戰略產業，微電子所正致力于智能電網和電動汽車等高端應用領域的IGBT產品開發。