隨著航天裝備對高性能存儲器的迫切需求，傳統存儲技術面臨瓶頸，國產FeRAM的突破有望為航天裝備的高效穩定運行提供全新解決方案。
中國科學院微電子研究所羅慶研究員團隊研發了Mbit容量抗輻照鉿基FeRAM存儲器芯片MCF08M433。該芯片采用摻雜HfO?基鐵電材料，解決了傳統鐵電材料與CMOS工藝兼容性差、尺寸微縮難等難題，并通過抗輻照加固技術實現了優異的抗輻照性能。該芯片具有高可靠、高速率、低功耗、抗輻射能力強等特點。2024年1月至今，該芯片已完成空間實驗，驗證其對程序、配置參數或運算數據的可靠存儲，證明了其在極端環境下的可靠性，可滿足航天領域需求。
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