近日，2024年IEEE國際電子器件大會（IEDM 2024）在美國舊金山召開。集成電路制造技術(shù)全國重點實驗室6篇學(xué)術(shù)論文入選，研究成果覆蓋了IGZO 3D DRAM、鐵電存儲器、器件物理與模型、生物傳感應(yīng)用等多項學(xué)術(shù)前沿領(lǐng)域，這是微電子所連續(xù)11年在IEDM大會上發(fā)表論文。其中，關(guān)于“IGZO-TFT陣列的生物傳感應(yīng)用”論文獲選Top Ranked Student Paper。?

在IGZO 3D DRAM研究方向發(fā)表論文2篇，內(nèi)容包括：1）首次展示了基于氧化物晶體管的4層堆疊3D DRAM存儲單元（論文題目：First Demonstration of 4-layer Stacked Planar Channel-All-Around (P-CAA) IGZO FETs with Cost-effective Process for High-density 1T1C 3D DRAM，助理研究員李偉偉、碩士生顧宸、產(chǎn)業(yè)界作者為共同第一作者，李泠研究員、耿玓研究員及產(chǎn)業(yè)界作者為通訊作者。）；2）設(shè)計了基于鉭電極的自氧化自對準(zhǔn)工藝，首次實現(xiàn)了垂直雙柵2T0C單元的單片集成，（論文題目：Novel 4F2 Multi-bit Dual-gate 2T0C for High-density DRAM with Improved Vertical-channel IGZO TFTs by Self-aligned Single-step Process，博士生廖福錫、產(chǎn)業(yè)界作者為第一作者，李泠研究員、楊冠華副研究員以及產(chǎn)業(yè)界作者為通訊作者。）

在鐵電存儲器研究方向發(fā)表論文1篇，內(nèi)容包括：具有超高存儲窗口(10V)和出色耐久性(109)的BEOL兼容(300℃退火)的IGZO-FeFET器件，（論文題目：A Fully BEOL-compatible (300℃ Annealing) IGZO FeFET with Ultra-high Memory Window (10V) and Prominent Endurance (109)，博士研究生徐盼為第一作者，羅慶研究員和姜鵬飛副研究員為通訊作者。）

在器件物理與模型研究方向發(fā)表論文2篇，內(nèi)容包括：1）基于第一性原理計算，揭示了接觸氧化層的形成機制及對接觸電阻（RC）的影響；發(fā)展高效RC提取方法與緊湊模型，實現(xiàn)精確2T0C DRAM電路仿真（論文題目：Deep Insights into Interlayer in TiN/IGZO Contact and Its Impact on Contact Resistance of CAA FETs: First-Principles Calculation, Experimental Study and Modeling，博士生趙越、徐麗君為共同第一作者，吳振華研究員、汪令飛研究員和李泠研究員為共同通訊作者。）2）首次實現(xiàn)了基于機器學(xué)習(xí)勢函數(shù)的大體系分子動力學(xué)刻蝕工藝仿真，（論文題目：First large-scale (68×25×5 nm3) atomistic modeling for accurate and efficient etching process based on machine learning molecular dynamics (MLMD)，馮澤萌助理工程師、博士生呼子義、余童助理工程師為文章共同第一作者，陳睿研究員、李俊杰正高級工程師為通訊作者）。

在生物傳感應(yīng)用研究方面發(fā)表論文1篇，內(nèi)容包括：提出雙柵閾值電壓調(diào)制解決多目標(biāo)生物傳感器陣列初始偏移干擾的方案，將初始電流漂移降低3個數(shù)量級，（論文題目：Dual-gate IGZO FET Sensor Array for Multi-biomarker Detection Achieving Ultra High Sensitivity with 4.426%/decade of ssDNA and 1102 nA/decade of Protein CA125，獲選Top Ranked Student Paper。博士生李垚為第一作者，鄭州大學(xué)楊瀟楠教授、張文昌副研究員和張鋒研究員為通訊作者。）

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