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綜合新聞

微電子所在三維鐵電存儲器噪聲特性應用方面取得進展

稿件來源:重點實驗室 發布時間:2024-01-11

傳統貝葉斯機面臨三大挑戰:一是需要高質量的隨機源生成具有真隨機性的隨機比特數流;二是由于隨機變量隨著問題的規模和復雜度的增加而增加,因此需要高密度的存儲器;三是存儲器和隨機源的分離,導致了芯片面積和功耗的浪費。

針對這些挑戰,微電子所劉明院士團隊首次構建了存儲器和隨機源融合的貝葉斯機。通過16層3D集成Fe-Diode實現了極高的存儲密度(0.26F2/bit);此外,通過對Fe-Diode器件的噪聲行為的系統研究,發現了與頻率無關的高噪聲密度的散粒噪聲(shot noise),并利用該噪聲作為隨機源,生成了自相關性接近零的隨機比特數流;進一步通過將存儲器和隨機源統一在16層3D Fe-Diode陣列中實現了該貝葉斯機。

通過對比發現,本工作在比特數流長度為15時,可以實現95.31%的MNIST識別精度。與基于線性反饋移位寄存器相比,識別精度提升了9.37%。同時,本工作具備高噪聲容忍能力,在10%的外部噪聲下,精度僅下降了8.75%。

????該研究成果以題為“First Demonstration of a Bayesian Machine based on Unified Memory and Random Source Achieved by 16-layer Stacking 3D Fe-Diode with High Noise Density and High Area Efficiency”入選2023 IEDM。微電子所龔天成副研究員為第一作者,復旦大學博士生胡啟樵為共同一作,微電子所楊建國副研究員和羅慶研究員為通訊作者。

圖 基于三維16層Fe-Diode器件的貝葉斯機

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