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綜合新聞

微電子所在阻變存儲器芯片創新應用研究取得進展

稿件來源:重點實驗室 發布時間:2024-01-11

阻變存儲器(RRAM)因其高速、低功耗和可擴展性而被廣泛用于實現邊緣計算加速器。但由于RRAM存在保持特性退化的問題,導致基于RRAM芯片上的網絡推理準確率隨時間的增大而降低,從而限制了基于RRAM的邊緣計算加速器的運算精度。

針上述問題,微電子所劉明院士團隊基于RRAM陣列的原位乘加及低功耗特性,開發了RRAM 存內計算芯片,結合微流控芯片搭建了異質集成及時檢測系統(POCT),完成終端系統的識別功能。針對血液疾病早期檢測,開發了細胞分級識別策略,將識別精度提高到92%。同時,揭示了POCT識別精度與RRAM失效機制的內在規律,提出了針對RRAM芯片中存儲單元保持特性的智能預修復方案,結合開發的LSTM保持性預測模型,在不影響計算芯片識別速度的前提下進行權值信息的原位修復,將POCT系統的長時識別能力提高到室溫下6000小時(250天),識別精度大于90%。

該研究成果以題為“Point-of-Care Testing (POCT) System Based on Self-Recovery? Memristor Chip with Low Energy Consumption(1.547 TOPS/W) and High Recognition (1142 frame/s)”入選2023 IEDM。微電子所鄭旭博士為第一作者,復旦大學吳立舟博士為共同第一作者,微電子所張文昌副研究員、許曉欣研究員為通訊作者。

(a)基于微流控芯片和RRAM芯片的異質集成POCT系統;(b) 細胞分級識別策略識別精度;(c)采用智能預測和自修復算法前后,推理時長與精度的變化;(d) POCT系統實物圖 (e) 開發的POCT系統與現有技術的性能對比

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