今晨，美光在官方博客發(fā)布技術(shù)文章，表示GDDR6顯存已經(jīng)完成所有的設計工作并通過了內(nèi)部驗證，首發(fā)的分別是針腳帶寬12Gbps和14Gbps的芯片。 

　　其實有心人應該看出來了，部分Pascal顯卡用的GDDR5X其實就已經(jīng)達到12GHz了，比如EVGA的GTX1080TIFTW3ELITE，TITANXp也達到了11.4Gbps。 

　　不過，GDDR6還是有自己的優(yōu)勢，單芯片最高32Gb(目前是8Gb和16Gb)，雙通道，電壓1.35V(相對于GDDR5的1.5V)，內(nèi)部電子干擾減少，另外制造工藝也從G5X的20nm升級為16nm。 

　　美光表示，現(xiàn)在他們可以把精力轉(zhuǎn)向提升量產(chǎn)良率和研發(fā)更快速度的GDDR6顯存上了，畢竟理論極限是16GHz。 

　　美光保守估計，GDDR6顯存將在明年上半年商用，但NVIDIA早就表示自己會首發(fā)，畢竟還有三星和SK海力士也在籌備。 

　　考慮到CES2018有些冒進，估計3月份的GTC大會上，配合GDDR6的Volta架構(gòu)GeForce游戲顯卡就會發(fā)布了，不過由于造價的原因，筆者估計可能只會在GTX2080/Ti(假想名)上使用，況且G5X還不賴。 

　　另外，傳言AMD這邊也會上GDDR6，因為HBM2造價過高，不便于向Redeon產(chǎn)線普及。 

　　（來源：大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)    2017年12月25日）