在科學界,讓碳納米管代替現有硅基晶體管的呼聲越來越高,碳納米管晶體管的主要技術挑戰過去幾年已被陸續得到解決。近日,來自北京大學的一項研究表明相同尺寸的兩種晶體管相比,碳納米管材料更省電高效。
目前硅基互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶體管已經很難再繼續縮小下去,碳納米管是替代硅的候選納米材料之一。北京大學的科學家開發出柵長5納米的碳納米管場效應晶體管,聲稱其性能超過相同尺寸的硅晶體管。碳納米管晶體管的柵電容更小,即使硅基設備縮小到碳納米管設備相同尺寸,后者的開關速度仍然更快。10納米碳納米管CMOS柵電容導致的延遲大約為70飛秒,僅為Intel14納米硅基CMOS的三分之一。
北大的研究報告發表在近日出版的《科學》期刊上。研究人員稱,碳納米管晶體管比硅基晶體管操作速度更快,工作電壓更低。論文通訊作者Lian-MaoPeng預測,碳納米管電子產品有望在2022年取代硅基CMOS。
(來源:IT之家 2017年1月22日)
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