三星電子在6月7日該公司與美國新思科技（Synopsys）聯(lián)合舉辦的會(huì)議上公開了該公司代工業(yè)務(wù)的工藝路線圖。此次會(huì)議與第53屆設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)（53rdDesignAutomationConference，DAC2016，2016年6月5日～10日舉行）同在美國奧斯汀舉行。　　 

　　會(huì)議的主題是“Readyto Designat 10nm! Synopsys and Samsung Foundry 10nm Enablement for Tape out Success”。來自三星的演講嘉賓是Foundry Marketing Samsung SSI的高級(jí)總監(jiān)KelvinLow。正如會(huì)議主題所表達(dá)的那樣，KelvinLow主要圍繞10nm工藝發(fā)表了演講，同時(shí)還介紹了10nm之前的14nm以及10nm之后的7nm工藝。　　 

　　三星首次在DAC的展會(huì)上設(shè)置展區(qū)是在兩年前的第51屆DAC（DAC2014）上，當(dāng)時(shí)大力宣傳了該公司的第一代14nm工藝“14LPE”。之后該公司在2016年1月發(fā)布了第二代14nm工藝“14LPP”（參閱本站報(bào)道）。14LPP在14LPEFinFET的基礎(chǔ)上優(yōu)化改進(jìn)而來，提高了性能。推出14LPE之后不久，三星還開發(fā)出了14LPC。能夠采用低成本工藝生產(chǎn)RF電路，除了中低端智能手機(jī)之外，該公司還打算將其應(yīng)用于IoT用芯片等。　　 

　　從此次公布的路線圖來看，三星在10nm方面將首先推出“10LPE”，然后再推出“10LPP”。關(guān)于10LPE，2014年該公司公開了PDK（Process Design Kit，工藝設(shè)計(jì)套件），2015年完善了設(shè)計(jì)流程及LibraryIP。進(jìn)入2016年之后，開始進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。后來，該公司又公開了10LPP的PDK。并打算在2016年內(nèi)完善10LPP的設(shè)計(jì)流程及LibraryIP，并于2016年底開始進(jìn)行10LPP的風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。10nm的正式量產(chǎn)將從2017年早些時(shí)候開始。另外，據(jù)KelvinLow介紹，10LPE的性能提高到了14LPP的1.1倍，芯片面積縮小至68％，10LPP的性能提高至14LPP的1.2倍，芯片面積縮小至68％。　　 

　　Kelvin Low還表示，10nm工藝時(shí)代將會(huì)持續(xù)很長(zhǎng)時(shí)間。之后，將會(huì)在短時(shí)期內(nèi)采用液浸ArF7nm工藝生產(chǎn)。“就像平面型22nm是過渡至FinFET14nm的中間工藝那樣，二者十分相似”。液浸ArF7nm之后，將會(huì)迎來真正的7nm時(shí)代。真正的7nm工藝將使用EUV（Extreme Ultraviolet）曝光技術(shù)。EUV7nm工藝可將液浸ArF7nm工藝使用的約80枚掩膜減少至60枚左右。另外，關(guān)于兩種7nm工藝，此次的路線圖并未給出明確的時(shí)間。 　　  

　　（來源：技術(shù)在線      2016年6月12日）