隨著經濟全球化不斷深入，標準已經成為世界各國推動技術進步的重要手段，成為諸多高新產業競爭與發展的制高點。中國制造要升級到中國創造，并走向國際市場，中國標準須先行。經過近十年潛心研發培育，LED產業終于迎來中國標準。
2015年度國家科學技術獎1月8日在人民大會堂舉辦頒獎典禮，備受矚目的技術發明一等獎花落“硅襯底高光效GaN基藍色發光二極管”項目，可謂行業之大喜事。“中國已經超越美國成為全世界最大的LED應用市場，硅襯底LED技術獲得中國政府大力推廣，中國市場的變化最終也會牽引全球產業變遷。”有LED行業人士談到。
攬獲國家大獎構建中國自主LED產業
硅襯底項目的主要參與人員孫錢表示，“從國家戰略層面講，硅襯底技術是我國擁有自主知識產權的技術路線，可以構建中國完全自主的LED產業”。
據介紹，國家技術發明一等獎判定標準為：屬國內外首創的重大技術發明或創新，技術經濟指標達到了同類技術領先水平，且推動相關領域技術進步且已產生顯著的經濟或者社會效益。
自LED發明以來，在照明應用領域存在三條LED照明技術路線，分別是藍寶石襯底(AI2O3)、碳化硅(Sic)襯底和硅襯底(Sic)LED技術路線。其中，前兩條技術路線分別是以日本和美國為主發展起來的，主要貢獻者分別獲得日美兩國最高科技獎，藍寶石襯底技術路線的一位主要發明人中村修二(SujiNakamura)還獲得了2014年度諾貝爾物理學獎。
而硅襯底LED技術是我國自主創新發展起來的，它彌補了前兩大技術路線之不足，具有自主創新專利。此次評獎，硅襯底LED技術項目在50個申報國家技術發明獎的項目中脫穎而出，成為唯一一個一等獎。
“硅襯底技術確實應該獲得這個大獎，他打破了日美國家在這個領域的技術壟斷，這是國家大力支持科技發明的體現。”一位接近國務院高層的產業經濟學家如此評價。
硅基襯底具有良好的穩定性和導熱性，且具有原材料成本低廉，晶圓尺寸大等優點。當前，集成電路6吋和8吋生產線產能很多，如果硅基襯底技術成熟，LED產品價格降低一半是可期的。
硅襯底項目的重大創新意義在于：硅基氮化鎵技術是中國自主研發、擁有完全自主知識產權的技術路線，將構建中國LED產業標準，凸顯產業后發優勢；這一技術也獲得國家的大力支持與推廣，對我國的LED產業格局有望產生革命性的影響。
率先布局中國標準先行
自主創新的全球視野，決定了中國LED產業的使命不是對國際標準的仰望，而是要把中國的標準變成世界的標準。
盡管目前市場上主流技術還是藍寶石襯底技術，但在江西省“十三五”規劃里，依托硅襯底技術大力發展LED產業群是重頭戲之一。江西省當地LED企業已經率先布局。“硅襯底高光效GaN基藍色發光二極管”由江西省申報，項目主要參與人員包括南昌大學的江風益教授、晶能光電(江西)有限公司的孫錢等人。
孫錢在前人研究的基礎上，大膽創新并利用多層AlGaN(氮化鎵異質結場效應晶體管)緩沖層技術，利用高溫外延生長時建立起來的壓應力抵消降溫過程中應熱膨脹系數的差異而引起的張應力，從而避免了氮化鎵薄膜中龜裂的產生，實現了高質量無裂紋的氮化鎵。這也為進一步研發出適合硅基氮化鎵的多量子阱發光有源區和PN結摻雜等提供了優異的材料基礎，真正實現了硅襯底氮化鎵基LED的產業化技術路線。
作為目前為止全球唯一一家量產硅襯底LED芯片的廠家，晶能光電所生產的硅襯底LED各項指標在同類研究中均處于國際領先地位，并與前兩條技術路線水平持平。而且，硅襯底LED芯片憑借高性價比、方向光、高品質出光的特點，不斷延伸至性能更高、附加值更高的白光LED芯片、LED手機閃光燈模組、LED汽車大燈模組、LED路燈模組、LED背光模組等需要方向光、照明級LED領域。
在某些細分高端領域市場，硅襯底LED產品已經超越國際大廠，占據市場份額第一的位置，成為我國LED產業與國際大廠同臺競爭的核心優勢。晶能光電是我國LED產業自主創新的典型代表，用十年時間將一項實驗室技術發展成為全球第三條藍光LED技術路線，形成全球硅襯底LED專利布局，改變了全球半導體照明技術格局。
除LED照明領域外，接受采訪的業內人士均看好硅基氮化鎵在集成電路(IC)領域的廣泛應用。“硅襯底技術獲國家大獎，從側面說明其技術上已經達到國際一流水平，但能否在產業上實現格局重構，還需看其成本優勢有多大，因為這個產業已經很市場化，除了國家政策扶持外，資本力量的推動也非常重要。如果該技術獲得包括風投、A股市場資本的持續追捧，則有望闖出新天地。這還需要時間觀察。”有接近國務院高層專家如此表示。
硅襯底LED產業鏈產值2012年5億元，2013年超過10億元，2014年近20億元，2015年預計可達50億元。未來三年，預計可形成百億產值規模。硅襯底LED技術榮獲國家技術發明一等獎，是國家對硅襯底LED技術及其應用的最高肯定，更是我國LED產業以科技創新實現騰飛的重要節點。
（來源：阿拉丁照明 2016年1月11日）
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