北京時間7月29日消息，據《華爾街日報》網絡版報道，英特爾和美光科技在周二宣布，他們已開發出了一種新型存儲芯片，能夠大幅提升計算機、智能機以及其它類型高科技產品的性能。
英特爾和美光稱，他們計劃在明年開始銷售這種芯片。該芯片的速度最高可達到當前多數移動設備所用NAND閃存芯片的1000倍，可存儲的數據容量是主流DRAM內存芯片的10倍。
這項技術名為3DXpoint，雖然處理速度上還無法十分接近DRAM芯片，但是像NAND閃存芯片一樣，即便在斷電后它仍可以保存數據。英特爾和美光并未披露太多關于3DXpoint的技術細節，包括他們使用的關鍵材料，但表示使用了一種獨特方式來存儲數據。
英特爾和美光高管預計，新芯片的速度將催生新型應用，令業界受益匪淺，特別是那些功能模式建立在大量數據基礎之上的應用，比如語音識別、金融詐騙偵測以及基因組學。
“這確實是一項革命性技術，”美光CEO馬克·德肯(MarkDurcan)周二在技術發布活動上表示。英特爾高級副總裁鮑勃·克魯克(RobCrooke)稱：“這是一項很多人認為不可能實現的技術。”
但是這項新技術的重要性和獨創性可能保守爭議。近幾年來，很多其他公司都已經宣布在存儲芯片開發上取得了重要進展。創業公司Crossbar戰略營銷和商業開發副總裁薩爾文·杜波斯(SylvainDubois)表示，英特爾和美光似乎仿效了其電阻式RAM技術的元素。“這聽起來非常像我們已擁有的技術，”杜波斯稱。
EverspinTechnologies等其他公司也相信，他們在為穩定數據存儲芯片提供DRAM級速度上已搶占先機。
英特爾和美光計劃初期生產能夠存儲128Gb數據的雙層芯片(two-layerchip)，這一存儲容量和現有的部分NAND芯片相當。隨著在芯片中堆疊更多電路，英特爾和美光計劃在日后提升芯片的存儲容量。
參加該技術發布活動的分析師周二表示，硬件設計商需要時間來決定如何或是否使用這項技術。英特爾和美光稱，現有技術為產品提供的速度提升遠小于新型芯片。
（來源：鳳凰科技 2015年7月29日）
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