一、項目名稱
中國科學院微電子研究所40nm 掩膜版加工單一來源服務
二、單一來源采購理由說明
中國科學院微電子研究所承擔的院課題先導B項目旨在基于小尺寸工藝節點開展存算一體關鍵電路技術研究，推動存算一體核心芯片的實用化。由于存算一體芯片采用數字、模擬、高壓混合工藝，電路工作速度快，可靠性要求高，對于晶體管匹配度、模型準確性都提出了更高要求，同時要求工藝穩定。
上海華力微電子有限公司的40nm 工藝目前已經為客戶成功量產多款產品，并可提供整套掩膜數據生成和制版加工服務。基于上海華力微電子有限公司工藝平臺，在性能和質量上均能滿足本項目的開發需要。由于工藝的定制化要求，掩膜版必須與上海華力微電子有限公司的工藝流程（process flow）及相應的層次邏輯運算規則（layer operation table）相匹配，因此需要由上海華力微電子有限公司完成掩膜版加工。
綜上，按照項目任務書需求，目前在工藝節點和存算陣列集成規模方面能同時滿足中國科學院微電子研究所需求的廠家僅有上海華力微電子有限公司1家，因此采用單一來源方式進行采購。
三、該項目擬從上海華力微電子有限公司進行采購。
四、征求意見期限從2019年12月16日至2019年12 月20日止。
本項目公示期為2019年 12月16日至2019年12 月20 日和個人如對公示內容有異議，請在2019年12 月 20 日15:00（北京時間）之前以實名書面（包括聯系人、地址、聯系電話）形式反饋至中國科學院微電子研究所，地址：北京朝陽區北土城西路3號，郵編：100029，聯系電話：82995706。
中國科學院微電子研究所
2019.12.16
綜合信息