一、項(xiàng)目名稱 

　　中國(guó)科學(xué)院微電子研究所65nm NOR Flash掩膜加工單一來(lái)源服務(wù) 

　　二、單一來(lái)源采購(gòu)理由說(shuō)明 

　　中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 “低維信息器件”項(xiàng)目旨在解決65nm NOR Flash存儲(chǔ)器的關(guān)鍵技術(shù)，推動(dòng)核心芯片的實(shí)用化。由于芯片采用數(shù)字、模擬、高壓混合工藝，同時(shí)集成SPI數(shù)據(jù)接口，電路工作速度快，可靠性要求高，對(duì)于晶體管匹配度、模型準(zhǔn)確性都提出了更高要求，同時(shí)要求代工平臺(tái)工藝穩(wěn)定。 

　　上海華力微電子有限公司的65nm ETOX工藝屬于十分成熟的工藝，已經(jīng)成功量產(chǎn)20多款產(chǎn)品，為近10家客戶提供整套29層FLASH掩膜制版加工服務(wù)，掩膜版最小工藝尺寸達(dá)到65納米要求，在性能和質(zhì)量上均能滿足項(xiàng)目要求。由于Flash工藝的定制化要求，掩模板必須與加工工藝流程及相應(yīng)的層次邏輯運(yùn)算規(guī)則相匹配，因此需要基于上海華力微電子有限公司平臺(tái)完成掩模版加工。 

綜上，按照項(xiàng)目任務(wù)書需求，目前滿足科研需求的廠家僅有上海華力微電子有限公司1家，因此采用單一來(lái)源方式采購(gòu)產(chǎn)品。 

　　三、該項(xiàng)目擬從上海華力微電子有限公司進(jìn)行采購(gòu)。 

　　四、征求意見期限從2019年1月22日至2019年1月28日止。 

　　本項(xiàng)目公示期為2019年1月22日至2019年1月28日和個(gè)人如對(duì)公示內(nèi)容有異議，請(qǐng)?jiān)?/font>2019年1月28日15:00（北京時(shí)間）之前以實(shí)名書面（包括聯(lián)系人、地址、聯(lián)系電話）形式反饋至中國(guó)科學(xué)院微電子研究所，地址：北京朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)，郵編：100029，聯(lián)系電話：82995706。  

                                                                                  中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 

　　                                                                                     2019.01.22