一、 項目名稱
高頻段5G基站用功率放大器試驗樣片及模塊研發
二、供應商選擇情況說明
中國科學院微電子研究所為完成國家科技重大專項“高頻段5G基站用功率放大器試驗樣片及模塊研發”項目課題任務，需要研發9-15GHz滿足5G基站需求的功率放大器樣片和射頻模塊，其中射頻模塊的加工內容包括對6寸GaAs晶圓進行多次劃片和對功率放大器芯片進行低損耗高密度封裝，劃片要求芯片完整、邊緣整齊、表面干凈無劃傷及污染；封裝要求模塊實現高密度集成的同時優化散熱性能、降低高頻寄生、減小電路射頻性能損耗。
華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司配置了領先的劃片設備、貼片設備、倒裝設備和塑封機設備，為累計50家客戶提供晶圓減薄、劃片的工程批、高密度低損耗電路模塊封裝，具有豐富的劃片、封裝設計和加工經驗。經過三方報價，①華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司96萬元，②泰州海天電子科技股份有限公司97.8萬元，③成都芯銳科技有限公司100.6萬元。通過對比華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司在價格上具有明顯優勢，同時在技術指標上滿足中國科學院微電子研究所加工需求。可以完成本項目的6寸GaAs晶圓的多次劃片和9-15GHz功率放大器模塊封裝設計和加工。
因此，綜合比較技術能力和報價，華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司是該項目的理想供應商。
該項目擬從華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司采購。
征求意見期限從2017年12月5日至2017年12月11日止。
本項目公示期為2017年12月5日至2017年12月11日。有關單位和個人如對公示內容有異議，請在2017年12月11日15:00（北京時間）之前以實名書面（包括聯系人、地址、聯系電話）形式反饋至中國科學院微電子研究所，地址：北京朝陽區北土城西路3號，郵編：100029，聯系電話：82995706。
中國科學院微電子研究所
2017.12.5
綜合信息