各相關(guān)單位： 

　　根據(jù)中國科學(xué)院繼續(xù)教育與培訓(xùn)工作的相關(guān)要求及 2017 年培訓(xùn)計(jì)劃，為搭建智能可穿戴產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新互動(dòng)平臺(tái)，發(fā)揮技術(shù)和人才優(yōu)勢，引領(lǐng)可穿戴技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向，創(chuàng)新可穿戴產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)，培育可穿戴產(chǎn)業(yè)市場，共同探討與分享可穿戴產(chǎn)業(yè)發(fā)展未來，促進(jìn)我國智能可穿戴產(chǎn)業(yè)持續(xù)快速發(fā)展，由中國科學(xué)院人事局資助，中國科學(xué)院微電子研究所主辦的第二期“可穿戴產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新”高級(jí)研修班將于 2017 年10月19-2017年10月22日在無錫舉行，請各相關(guān)單位積極組織，并委派相關(guān)人員參加。相關(guān)信息在研究所網(wǎng)站(www.szrcdt.cn)上發(fā)布。 

　　現(xiàn)將有關(guān)事項(xiàng)通知如下： 

　　一、會(huì)議時(shí)間：2017年10月19～22日（18日全天報(bào)到） 

　　二、會(huì)議地點(diǎn)：中國科學(xué)院物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心二樓會(huì)議室 

　　三、參加對(duì)象：從事可穿戴設(shè)備技術(shù)研究的工程技術(shù)人員、科研工作者及研究生；高等院校學(xué)生和老師、企業(yè)技術(shù)人員和高級(jí)管理人員；其他希望了解可穿戴技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的非專業(yè)技術(shù)背景人員，如銷售和市場人員、投融資機(jī)構(gòu)人員、政府管理人員等 

　　四、主要內(nèi)容： 

　　1、社區(qū)智慧養(yǎng)老健康服務(wù)信息化管理； 

　　2、智慧云健康醫(yī)療服務(wù)系統(tǒng)； 

　　3、無線充電與可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)策略； 

　　4、新型可穿戴式醫(yī)療技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢； 

　　5、可穿戴技術(shù)結(jié)合VR/AR的智能健康醫(yī)療應(yīng)用； 

　　6、物聯(lián)網(wǎng)科研項(xiàng)目成果展示及智能可穿戴設(shè)備企業(yè)參觀。 

　　五、 相關(guān)費(fèi)用及要求： 

　　1、本次研修班限定招收70名學(xué)員，本次培訓(xùn)不收取培訓(xùn)費(fèi)； 

　　2、食宿及交通費(fèi)用由學(xué)員自理。其中：會(huì)務(wù)組同意安排食宿及無錫市內(nèi)交通（酒店-會(huì)議室）收取會(huì)務(wù)費(fèi)為1600元/人； 

　　3、匯款信息： 

　　單位名稱：無錫中科智庫物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研究院有限公司 

　　賬    號(hào)： 1065 3401 0400 09532 

　　開 戶 行：農(nóng)業(yè)銀行無錫太科園支行 

　　六、結(jié)業(yè)與證書頒發(fā)： 

　　1、學(xué)員應(yīng)于課程結(jié)束后，提交學(xué)習(xí)報(bào)告，將學(xué)習(xí)內(nèi)容與個(gè)人工作進(jìn)行深入結(jié)合，并圍繞一個(gè)或若干個(gè)課程主題進(jìn)行探討。 

　　2、經(jīng)考評(píng)考核合格的學(xué)員，頒發(fā)中國科學(xué)院物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心高級(jí)研修班項(xiàng)目結(jié)業(yè)證書。 

　　七、報(bào)名方式： 

　　填寫報(bào)名回執(zhí)表并于2017年10月12日前Email至2017年第二期“可穿戴產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新”高級(jí)研修班會(huì)務(wù)組。 

　　聯(lián)系人：李老師 

　　電 話： 136-5617-4525 

　　E-mail:  lichunbo@ciotc.org  抄送  sunfanggang@ciotc.org 

　　地 址：江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國傳感網(wǎng)創(chuàng)新園 C 座六樓　　附件一：報(bào)名回執(zhí) 

　　附件二：研修班日程 

　　附件三：師資介紹 

　　中國科學(xué)院微電子研究所 

　　二〇一七年九月二十一日