一、項目名稱
中國科學院微電子研究所霍爾傳感器工藝流片項目
二、單一來源采購理由說明
中國科學院微電子研究所開發的霍爾傳感器集成電路產品是先進的傳感類集成電路芯片，在無接觸傳感應用領域有廣泛的使用范圍。此項目的技術目標是實現高性能霍爾效應傳感部件與集成電路信號處理單元的單片集成流片，需要工藝穩定性較高，設計采用行業先進定制雙極工藝，對芯片控制較為困難，符合研究的技術路線要求。
無錫華潤上華半導體有限公司是世界領先的集成電路芯片代工企業之一，也是中國內地規模最大、技術先進的專用集成電路芯片制造企業。無錫華潤上華半導體有限公司是純商業性集成電路代工廠，提供先進的定制雙極制程工藝設計和制造服務，符合研制芯片對磁靈敏度控制的工藝加工要求。目前國內只有該單位具備本項目研發芯片的要求。
三、該項目擬從無錫華潤上華半導體有限公司采購。
四、征求意見期限從2017年3月3日至2017年3月10日止。
本項目公示期為2017年3月3日至2017年3月10日。有關單位和個人如對公示內容有異議，請在2017年3月10日15:00（北京時間）之前以實名書面（包括聯系人、地址、聯系電話）形式反饋至中國科學院微電子研究所，地址：北京朝陽區北土城西路3號，郵編：100029，聯系電話：82995706。
中國科學院微電子研究所
2017.3.3
綜合信息