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微電子所在新型安全芯片領(lǐng)域取得進(jìn)展

稿件來(lái)源:重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 楊建國(guó)、張康瑋 發(fā)布時(shí)間:2020-12-31

  近日,劉明院士科研團(tuán)隊(duì)基于新型存儲(chǔ)器的硬件安全芯片領(lǐng)域的兩篇研究論文成功入選2020年第66屆國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM)。 

      隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的爆炸式發(fā)展,連接到云端的設(shè)備數(shù)量越來(lái)越多,設(shè)備的安全性問(wèn)題更加凸顯。每年有大量設(shè)備受到安全威脅和惡意攻擊。物理不可克隆函數(shù)(PUF)為不安全環(huán)境下的芯片認(rèn)證和保護(hù)設(shè)備免受物理攻擊提供了一種有效的方法,對(duì)人工智能芯片保護(hù)具有十分重要的意義。云端訓(xùn)練好的模型經(jīng)簡(jiǎn)化后轉(zhuǎn)到邊緣芯片的非易失存儲(chǔ)器上或者實(shí)現(xiàn)為專用芯片(ASIC),在邊緣處理器或者ASIC中加入PUF,可有效防止訓(xùn)練好的數(shù)據(jù)被破解或被復(fù)制。 

  基于阻變存儲(chǔ)器隨機(jī)短期記憶時(shí)間,劉明院士團(tuán)隊(duì)與之江實(shí)驗(yàn)室、復(fù)旦大學(xué)的研究人員合作,從隨機(jī)源的物理模型出發(fā),設(shè)計(jì)了互補(bǔ)結(jié)構(gòu)阻變單元陣列熵源、片上測(cè)量電路、軟編程電路、記憶時(shí)間計(jì)數(shù)器和比特流截取電路等關(guān)鍵電路模塊,實(shí)現(xiàn)了完整的PUF IP的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證。芯片測(cè)試結(jié)果顯示,PUF的平均片內(nèi)漢明距離為0.49993,平均片間漢明距離為0.0009,均接近理想值。經(jīng)過(guò)對(duì)PUF產(chǎn)生的100M比特流進(jìn)行了NIST的測(cè)試,該芯片通過(guò)了全部NIST測(cè)試項(xiàng)。 

  

  面向物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的面積資源和功耗都受到嚴(yán)格限制,且通常被部署在惡劣環(huán)境中。劉明院士科研團(tuán)隊(duì)與之江實(shí)驗(yàn)室、復(fù)旦大學(xué)、電子5所的研究人員合作提出并驗(yàn)證了基于8的三維垂直RRAMVRRAM)的PUF芯片。為降低PUF的輸出誤碼率、提升可靠性,團(tuán)隊(duì)首次設(shè)計(jì)了面向RRAM的單元原位穩(wěn)定化電路,使PUF誤碼率小于0.01% @ 85℃,在 125℃下也可穩(wěn)定工作。該PUF芯片的輸出比特等效面積達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1F2,兼具有抗機(jī)器學(xué)習(xí)攻擊的特征,是嵌入式應(yīng)用領(lǐng)域硬件安全的理想解決方案。 

  基于上述兩項(xiàng)研究成果的論文“A Novel PUF Using Stochastic Short-Term Memory Time of Oxide-Based RRAM for Embedded Applications”、“A Machine-Learning-Resistant 3D PUF with 8-layer Stacking Vertical RRAM and 0.014% Bit Error Rate Using In-Cell Stabilization Scheme for IoT Security Applications”入選2020 IEDM。微電子所楊建國(guó)副研究員為兩篇論文的第一作者。 

  相關(guān)工作得到國(guó)家自然基金委、科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、中國(guó)科學(xué)院B類先導(dǎo)專項(xiàng)等項(xiàng)目的支持。  

基于3D RRAM PUF的原理

PUF芯片測(cè)試系統(tǒng) 

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