傳統(tǒng)的三維半導(dǎo)體材料表面存在大量的懸掛鍵，可通過捕獲和散射等方式影響和限制自由載流子的運(yùn)動(dòng)，因此表面態(tài)的設(shè)計(jì)、制造和優(yōu)化是提高三維半導(dǎo)體器件性能的關(guān)鍵因素。類似于三維半導(dǎo)體材料的表面態(tài)，單層二維材料（如二硫化鉬和石墨烯）在邊界原子的終止和重建可以產(chǎn)生邊界態(tài)，這使二維材料產(chǎn)生了許多獨(dú)特的現(xiàn)象，使其得到廣泛的應(yīng)用。 

      針對(duì)此現(xiàn)象，微電子所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室劉明院士和李泠研究員的科研團(tuán)隊(duì)與中科院物理所、北京理工大學(xué)、美國加州大學(xué)洛杉磯分校合作，對(duì)單層MoS₂/WSe₂晶體管進(jìn)行了器件測試、掃描隧道顯微鏡實(shí)驗(yàn)觀測和第一性原理計(jì)算，發(fā)現(xiàn)二維材料的邊界態(tài)是控制器件亞閾值特性及影響器件遷移率的關(guān)鍵因素，并在國際上首次提出這種邊界態(tài)是拉廷格液體的物理本質(zhì)。該科學(xué)發(fā)現(xiàn)對(duì)于研究器件性能優(yōu)化和低功耗應(yīng)用具有一定的意義。 

　　該工作以《Possible Luttinger liquid behavior of edge transport in monolayer transition metal dichalcogenide crystals》為題發(fā)表在 Nature Communications期刊上（DOI: 10.1038/s41467-020-14383-0）。微電子所博士后楊冠華和物理所邵巖博士為該文章第一作者，微電子所劉明院士、李泠研究員、北京理工大學(xué)王業(yè)亮教授和美國加州大學(xué)洛杉磯分校段鑲鋒教授為共同通訊作者。 

　　上述工作得到了國家自然科學(xué)基金委、科技部、中科院等相關(guān)項(xiàng)目的資助。 

　　全文鏈接：https://www.nature.com/articles/s41467-020-14383-0#citeas 

圖a.二維材料邊界電導(dǎo)比例與溫度、柵壓關(guān)系。圖b. I/T^1+α與qV/k_BT關(guān)系。圖c. STS能譜。