“2017年極端環(huán)境微納電子器件可靠性國(guó)際研討會(huì)”于5月22 —24日在四川省成都市舉行。200余位國(guó)內(nèi)外專(zhuān)家學(xué)者齊聚一堂，共同探討極端環(huán)境下微納電子器件可靠性領(lǐng)域的最新研究結(jié)果。

　　本次會(huì)議由微電子所主辦，電子科技大學(xué)、四川大學(xué)、國(guó)家自然科學(xué)基金委、中德科學(xué)中心、四川省成都市雙流區(qū)政府、四川省豆萁科技股份有限公司等協(xié)辦，議題包括微納電子器件可靠性設(shè)計(jì)、失效物理研究，器件損傷效應(yīng)和機(jī)理研究，加固技術(shù)設(shè)計(jì)和評(píng)價(jià)等。微電子所劉明院士擔(dān)任大會(huì)主席。

　　劉明在大會(huì)開(kāi)幕式上致辭并做了《非易失性存儲(chǔ)器的可靠性問(wèn)題與優(yōu)化技術(shù)》的主題報(bào)告。德國(guó)慕尼黑技術(shù)大學(xué)Ulf Schlichtmann教授、西北核技術(shù)研究所陳偉研究員，中國(guó)航天科技集團(tuán)趙元富研究員，美國(guó)范德堡大學(xué)Dan Fleetwood教授，亞琛工業(yè)大學(xué)Ilia Valov教授等5名大會(huì)演講嘉賓分別作了《如何在設(shè)計(jì)自動(dòng)化中處理軟件錯(cuò)誤：跨層方法和普通技術(shù)》、《中子誘發(fā)單粒子事件在大規(guī)模集成電路中的影響》、《單粒子事件效應(yīng)與納米級(jí)CMOS集成電路加固技術(shù)》、《GaN/AlGaN高電子遷移率晶體管的輻射效應(yīng)、1/f噪聲和可靠性》、《基于氧化還原的憶阻器件：基本流程和新見(jiàn)解》學(xué)術(shù)報(bào)告。

　　大會(huì)設(shè)置了5個(gè)分會(huì)場(chǎng)，分別圍繞電子器件可靠性（新型器件、缺陷、物理機(jī)制和建模仿真等）、可靠性設(shè)計(jì)（材料級(jí)、工藝級(jí)、器件級(jí)、電路級(jí)、系統(tǒng)級(jí)）、極端環(huán)境下的損傷效應(yīng)和優(yōu)化技術(shù)、充放電效應(yīng)和靜電防護(hù)、失效表征和分析等議題展開(kāi)研討。來(lái)自美國(guó)、法國(guó)、英國(guó)、德國(guó)、意大利、中國(guó)等國(guó)的33名可靠性領(lǐng)域產(chǎn)學(xué)研界專(zhuān)家作口頭邀請(qǐng)報(bào)告，58名學(xué)者作口頭報(bào)告。大會(huì)展示了68份大會(huì)海報(bào)，得到了參會(huì)者的強(qiáng)烈關(guān)注。微電子所段遠(yuǎn)、西北核技術(shù)研究所潘霄宇和美國(guó)范德堡大學(xué)江蓉被大會(huì)評(píng)選為“最佳學(xué)生論文獎(jiǎng)”。

　　本次會(huì)議為國(guó)內(nèi)外極端環(huán)境微納電子器件可靠性領(lǐng)域的專(zhuān)家學(xué)者提供了學(xué)術(shù)交流平臺(tái)，為高校、研究所以及相關(guān)領(lǐng)域企業(yè)的工程師、研究生提供了全面深入學(xué)習(xí)微納電子器件可靠性最新進(jìn)展和了解器件可靠性前沿發(fā)展趨勢(shì)的機(jī)會(huì)。

　　大會(huì)合影

　　劉明院士作大會(huì)報(bào)告

　　大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)

　　“最佳學(xué)生論文獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)