近日，973項(xiàng)目“超高頻、大功率化合物半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)基礎(chǔ)研究”2012年度總結(jié)大會(huì)在中科院微電子所召開。專家組成員中科院王越院士、吳德馨院士、鄭有炓院士，哈爾濱工業(yè)大學(xué)副校長強(qiáng)文義教授，中科院微電子所所長葉甜春研究員及項(xiàng)目組科研人員參加了會(huì)議。該項(xiàng)目首席科學(xué)家劉新宇研究員和各子課題負(fù)責(zé)人、科研骨干匯報(bào)了項(xiàng)目的工作進(jìn)展情況。

　　劉新宇研究員首先向?qū)＜医M和與會(huì)人員介紹了該項(xiàng)目的研究背景、研究目標(biāo)和年度項(xiàng)目進(jìn)展情況。他指出，項(xiàng)目各課題不僅圓滿完成了本年任務(wù)，并在四個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域取得了較大的突破：研制成功InGaAs NMOS與InGaSb PMOS原型器件，性能優(yōu)于相同柵長Si CMOS器件，其中100nm InGaAs NMOS射頻性能突破200 GHz，達(dá)到國際先進(jìn)水平；采用路場結(jié)合、全局仿真局部優(yōu)化的方法，在國內(nèi)實(shí)現(xiàn)了多款3毫米波段電路；建立了自主的GaN毫米波器件成套工藝流程，開發(fā)了創(chuàng)新的U型柵結(jié)構(gòu)，申請專利11項(xiàng)；開發(fā)了一套超高頻數(shù)模混合電路設(shè)計(jì)方法，有效提高超高頻電路的性能，并以此為基礎(chǔ)開發(fā)出具有世界先進(jìn)水平的GaAs基頻率比較器和10GHz 8bit DDS，其中12.5GHz 頻率比較器已經(jīng)實(shí)現(xiàn)用戶單位批量訂貨。

　　專家組對項(xiàng)目的各項(xiàng)進(jìn)展表示滿意。王越院士認(rèn)為本項(xiàng)目已經(jīng)獲得了階段性的成功，在后續(xù)工作上應(yīng)該加強(qiáng)機(jī)理研究，在動(dòng)態(tài)科研中探究機(jī)理問題，同時(shí)凝練方向，與應(yīng)用需求結(jié)合，保持項(xiàng)目的長期健康發(fā)展。吳德馨院士表示，本項(xiàng)目的進(jìn)展非常大，無論在機(jī)理還是應(yīng)用上，均較第一期項(xiàng)目（本項(xiàng)目為973項(xiàng)目滾動(dòng)第二期）有了長足進(jìn)步，但距離國產(chǎn)化尚有一定距離，她希望各個(gè)課題組立足現(xiàn)有基礎(chǔ)，注重同用戶的應(yīng)用需求綁定，徹底解決器件的可靠性、穩(wěn)定性問題。鄭有炓院士首先對項(xiàng)目的成果給予充分的肯定，他認(rèn)為本項(xiàng)目學(xué)科跨度較大，各課題間應(yīng)該加強(qiáng)互動(dòng)，希望相關(guān)課題可以再串聯(lián)出有顯示度的成果來，滿足國家需求，突出創(chuàng)新性。強(qiáng)文義教授認(rèn)為各課題目前已經(jīng)超前完成了任務(wù)要求，他提議各課題應(yīng)更加注重協(xié)同創(chuàng)新，并將課題六更充分的集成到整個(gè)項(xiàng)目中去。

　　為了加強(qiáng)各課題的互動(dòng)，充分的調(diào)動(dòng)起青年科研人員的積極性，鼓勵(lì)創(chuàng)新，項(xiàng)目組在此次會(huì)中還舉辦了“973項(xiàng)目青年科學(xué)家論壇”。課題負(fù)責(zé)人南京大學(xué)長江學(xué)者陸海教授、清華大學(xué)微電子學(xué)研究所副所長王燕教授等項(xiàng)目骨干展示了各課題最新的突出成果，為科研人員起到了良好的示范作用。

與會(huì)專家組成員和項(xiàng)目骨干合影