IGBT 1700V 版圖及照片

　　近期，由中科院微電子所硅器件與集成技術(shù)研究室(一室)朱陽軍副研究員帶領(lǐng)的IGBT團隊在1700V IGBT研制方面取得了突破性進展。

　　該團隊此次研制的1700V trench NPT IGBT產(chǎn)品經(jīng)過首輪流片靜態(tài)參數(shù)基本達標，其中阻斷電壓達1800V以上，飽和壓降2.8V；動態(tài)參數(shù)優(yōu)良，其中最關(guān)鍵的下降時間tf在130ns左右，優(yōu)于國外多個廠家同類產(chǎn)品的300ns；5月4日本批產(chǎn)品又通過了168小時HTRB(高溫反偏老煉試驗)可靠性摸底試驗。綜合來看，該批產(chǎn)品在性能上已達到國際先進水平，優(yōu)于國外多個廠家的同類產(chǎn)品。

　　本次產(chǎn)品的開發(fā)是微電子所首次涉足1700V高壓IGBT研制，采用了完全自主設(shè)計的終端(2種)和元胞(9種)結(jié)構(gòu)。制造工藝基于國內(nèi)華虹NEC8吋線，由微電子所負責(zé)工藝設(shè)計，工藝線進行單項工藝模塊開發(fā)。標志著IGBT工藝從設(shè)計研制到工藝開發(fā)的貫通又上了一個新的臺階。

　　微電子所IGBT產(chǎn)品研制在所領(lǐng)導(dǎo)和室領(lǐng)導(dǎo)的關(guān)懷幫助下發(fā)展順利，研究團隊不斷發(fā)展壯大，在近一年的時間內(nèi)，取得了階段性的成績。項目組先后承擔(dān)了國家重大科技專項，中科院院重要方向性項目，中科院“創(chuàng)新2020”首批支撐服務(wù)國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)科技行動計劃專項，院地合作專項等一系列科研項目。產(chǎn)品開發(fā)方面已形成了1200V系列8款，即將形成1700V系列4款等芯片/器件/模塊產(chǎn)品;并已設(shè)計完成6500V IGBT器件和工藝，1200V & 1700V FRD器件和工藝等，正轉(zhuǎn)入流片階段。IGBT團隊將以更加團結(jié)飽滿的熱情、科學(xué)嚴謹?shù)淖谥纪度氲叫碌漠a(chǎn)品的研制開發(fā)中。