2011年3月16日，由中科院微電子所聯(lián)合微系統(tǒng)所共同成立的創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)舉行了2011 International Workshop on Exploratory Research for Semiconductor Devices and VLSI Packaging。

　　微電子所朱慧瓏研究員主持了會(huì)議并致歡迎詞。多名創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)成員和50余位來(lái)自微電子研究所、北京大學(xué)、清華大學(xué)等高校、研究所的研究人員、學(xué)生參加了會(huì)議，并就“低功耗、小尺寸、高性能的新型半導(dǎo)體器件，高密度三維封裝及石墨烯、碳納米管等相關(guān)新材料、新工藝”方面的國(guó)際上共同關(guān)心的科學(xué)和工程前沿問(wèn)題進(jìn)行了熱烈地學(xué)術(shù)討論。受邀來(lái)自IBM、臺(tái)灣大學(xué)、新加坡南洋理工大學(xué)、Technical University of Denmark等國(guó)內(nèi)外知名公司、高校、研究機(jī)構(gòu)的專家在會(huì)上作了關(guān)于“低功耗部分耗盡絕緣體上硅互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管及相關(guān)工藝，高遷移率溝道，高k/金屬柵CMOS器件關(guān)鍵工藝技術(shù)，石墨烯-金屬器件的接觸特性研究，3D/TSV系統(tǒng)集成與封裝關(guān)鍵材料技術(shù)”等相關(guān)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)報(bào)告。

　　此次會(huì)議為創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)成員單位進(jìn)行學(xué)術(shù)探討，獲悉前沿研究進(jìn)展搭建了平臺(tái)，將對(duì)進(jìn)一步加強(qiáng)國(guó)際科研機(jī)構(gòu)間交流及合作、促進(jìn)我國(guó)半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展起到一定推動(dòng)作用。

　　會(huì)后，與會(huì)專家參觀了微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心（十室）4英寸及8英寸CMOS/MEMS工藝研發(fā)平臺(tái)，李俊峰副主任詳盡介紹了平臺(tái)的現(xiàn)有工藝能力及近期規(guī)劃，同時(shí)聽(tīng)取了專家的意見(jiàn)與建議。

朱慧瓏研究員主持會(huì)議

會(huì)后合影