8月27-29日，“2015年中國原子層沉積技術交流與學術研討會”在杭州成功舉辦。本次研討會由中科院微電子所、復旦大學主辦，浙江大學硅材料國家重點實驗室承辦，來自全國各地近百位知名教授、專家學者參加了研討會。
本次研討會旨在為本領域專家學者提供了解國內外ALD工藝、前驅體源和設備技術等方面最新發展動態的交流平臺，進一步推動我國ALD技術的快速發展。
研討會上，微電子所趙超研究員、李超波研究員作了最新研究成果報告。與會人員就感興趣的問題積極踴躍提問并進行了熱烈的討論。會議同時舉行了“中國儀表功能材料學會原子層沉積（ALD）專業分會”授牌儀式。中國儀表功能材料學會副秘書長唐逾向微電子所微電子設備技術研究室（八室）主任夏洋研究員授予“原子層沉積（ALD）專業分會”牌匾。
原子層沉積（ALD）作為一種自限制生長的納米級成膜技術，具有精確的原子層級厚度控制、高度的共行覆蓋能力、較低的生長溫度等優點，現已被廣泛地應用于微電子、光電子、催化、能源、光學、防護、生物醫用材料等領域。
授牌儀式
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