7月3日，微電子所青促會小組舉辦2015年第四期“微電子技術創新論壇”，邀請南開大學教授王衛超作了題為《高速電子器件材料III-V半導體表面和界面的氧化和鈍化》的報告。微電子所科研人員、學生共30余人參加了交流會。交流會由所青促會小組組長畢津順主持。
III-V族半導體被認為是有希望代替硅的溝道材料。近年來，關于III-V族半導體的研究備受重視。然而，迄今為止還沒有真正意義的III-V族半導體集成電路問世，根本原因在于難以形成高質量的高介電氧化物/III-V族半導體界面。粗糙的界面被學術界和工業界認為是造成溝道載流子散射的直接原因，也成為整個高速電子器件發展的瓶頸所在。
王衛超介紹了南開大學在III-V族材料表面和界面的原子、電子結構的研究工作。其所在的研究團隊通過分析III-V族半導體表面氧化過程，深入理解費米能級釘扎機制，探索出表面鈍化去除釘扎的方案，在此基礎上，進一步探索界面穩定性能、界面能帶臺階、電子態與界面成鍵的關系，從理論上調節界面成鍵以優化界面性能，為實現III-V族半導體材料在高速電子器件中的實際應用提供理論依據。與會人員就III-V半導體材料、器件、表面和界面以及第一性原理等相關技術問題與王衛超進行了交流。
王衛超現任南開大學教授、博士生導師，2011年獲德州大學達拉斯分校材料與工程系博士學位，近三年共發表學術論文38篇。
交流會現場
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