1月16日至17日，中科院微電子所納米加工與新器件集成技術研究室（三室）成功舉辦第一屆中日韓阻變存儲器和功能氧化物研討會。
參加此次研討會的有首爾國立大學Cheol Seong Hwang教授，韓國科學技術研究所Doo Seong Jeong博士，日本先進工業科學和技術研究所Isao H. Inoue博士、Hiroyuki Yamada博士，北京大學康晉鋒教授，中科院微電子所劉明研究員以及來自清華大學、北京大學等國內知名大學以及研究院所的20多位教授和30多名學生。
此次會議旨在加強中科院微電子所納米加工與新器件集成技術研究室與國內外其他高校、科研院所關于阻變儲存器和功能氧化物等領域專家的交流合作，更好地展示相關研究領域的新成果，促進該研究領域的深入發展。
會上，中科院微電子所副所長劉新宇首先向大會致辭，對參會者的到來表示歡迎。隨后Cheol Seong Hwang教授作了題目為Resistance switching in TiO2: microscopic identity, switching mechanism and outlook的報告，主要介紹了基于TiO2功能層的阻變存儲器的微觀密度、轉變機理的問題和未來展望；Isao H. Inoue博士作了題為Mott transistor: concept, obstacles, and future的報告，介紹了Mott晶體管的概念、困難以及未來發展前景；康晉鋒教授作了題為Toward 3D RRAM Integration: Optimization of Device Structure and Array Architecture的報告，介紹了RRAM的三維集成等問題；Doo Seong Jeong博士作了題為Towards nanoionics-based artificial neurons and synapses: a materials point of view的報告，介紹了人工神經元的工作和功能氧化物的應用問題；Hiroyuki Yamada博士作了題為Resistive Switching in Ferroelectric Junctions : Investigations with Novel Material and Controlled Interface的報告，主要介紹了鐵電結中電阻轉變的特性等問題；劉明研究員作了題為Microscopic mechanism of solid-electrolyte-based RRAM: present status and outlook的報告，介紹了基于固體電解質的RRAM的微觀轉變機制的問題。6位報告人在報告后都與參會人員進行了熱烈的討論和交流。
1月17日，來自清華大學、北京大學、南京大學、武漢大學、中科院微電子所等10所國內知名高等院所的17名學者就阻變存儲器的新材料、新結構、機理和集成等方面進行了匯報，并與參會人員進行了熱烈討論。
第一屆中日韓阻變存儲器和功能氧化物研討會，科研方向集中、交流目標明確、內容形式活潑，會議效果良好，達到了來自不同國家、不同機構在學術上相互學習、相互了解的目的，為進一步開展合作交流搭建了一個高層次、高水平的平臺。
研討會現場
所有參會人員照片
綜合信息