
9月9日,意大利米蘭理工大學副教授 Daniele Ielmini 應微電子所微細加工與納米技術研究室(三室)主任劉明研究員邀請,到微電子所進行學術訪問并作題為Resistive switching nanodevices: modeling, scaling and novel functionalities報告。
報告中,Daniele Ielmini教授講述了雙極型阻變存儲器的阻變機制,并提出了在直流和交流條件下置位/復位的一種數學模型。他解釋了互補型阻變允許自選擇阻變存儲器和多值存儲單元(MLC)的操作,并介紹了由于RTN和變異性問題對阻變存儲器比例減小的限制問題的解決方案以及電阻轉變納米器件的新計算方案。報告后,參會人員與Daniele Ielmini教授還就電阻轉變存儲器的具體問題展開了交流討論。
Daniele Ielmini副教授的研究領域主要有新型納米器件的設計與模型建立,尤其是在相變存儲器和電阻轉變存儲器領域有較好的研究成果。其在2000年獲得博士學位,并在英特爾和斯坦福大學擔任博士后。獲得了英特爾杰出研究獎(2013年),是IEEE高級會員(2009年)。他在IEDM(2008-09),IRPS(2005-08),SISC(2008-10)和INFOS(2011-13)擔任技術委員會成員。

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