1G位獨立式NOR型閃存芯片研究取得突破

　　日前，中科院微電子所聯合清華大學、北京大學在1G位獨立式NOR型閃存芯片研究上取得突破。

　　移動通訊等信息技術的迅猛發展加劇了對海量信息高速存取的需求。然而，大容量高速閃存芯片設計技術一直是我國存儲芯片設計面臨的主要技術瓶頸，我國存儲企業依賴國外技術授權進行小容量嵌入式閃存產品設計的格局未發生改變。為此，在國家科技重大專項02專項的支持下，中科院微電子所納米加工與新器件集成技術研究室（三室）攜手清華大學、北京大學相關研究部門在國內率先開展了1G位獨立式NOR型閃存芯片設計關鍵技術研發工作。

　　科研人員基于中芯國際在研的最新65納米NOR型閃存工藝，經過艱苦攻關，突破了閃存芯片進入大容量后在字線/位線譯碼、高壓、靈敏放大等關鍵技術模塊方面的技術障礙，最終完成了1Gb NOR型閃存芯片的自主設計、流片、封裝和測試工作，研發的1G閃存芯片順利通過了機臺級關鍵電路模塊測試并成功實現了系統級存儲功能演示。

　　該項研究成果填補了我國在大容量NOR型閃存芯片研究方面的技術空白，也為后65納米大容量NOR型閃存芯片的發展奠定了重要基礎。