近日，973項目“超高頻、大功率化合物半導體器件與集成技術基礎研究”2012年度總結大會在中科院微電子所召開。專家組成員中科院王越院士、吳德馨院士、鄭有炓院士，哈爾濱工業大學副校長強文義教授，中科院微電子所所長葉甜春研究員及項目組科研人員參加了會議。該項目首席科學家劉新宇研究員和各子課題負責人、科研骨干匯報了項目的工作進展情況。
劉新宇研究員首先向專家組和與會人員介紹了該項目的研究背景、研究目標和年度項目進展情況。他指出，項目各課題不僅圓滿完成了本年任務，并在四個重點領域取得了較大的突破：研制成功InGaAs NMOS與InGaSb PMOS原型器件，性能優于相同柵長Si CMOS器件，其中100nm InGaAs NMOS射頻性能突破200 GHz，達到國際先進水平；采用路場結合、全局仿真局部優化的方法，在國內實現了多款3毫米波段電路；建立了自主的GaN毫米波器件成套工藝流程，開發了創新的U型柵結構，申請專利11項；開發了一套超高頻數模混合電路設計方法，有效提高超高頻電路的性能，并以此為基礎開發出具有世界先進水平的GaAs基頻率比較器和10GHz 8bit DDS，其中12.5GHz 頻率比較器已經實現用戶單位批量訂貨。
專家組對項目的各項進展表示滿意。王越院士認為本項目已經獲得了階段性的成功，在后續工作上應該加強機理研究，在動態科研中探究機理問題，同時凝練方向，與應用需求結合，保持項目的長期健康發展。吳德馨院士表示，本項目的進展非常大，無論在機理還是應用上，均較第一期項目（本項目為973項目滾動第二期）有了長足進步，但距離國產化尚有一定距離，她希望各個課題組立足現有基礎，注重同用戶的應用需求綁定，徹底解決器件的可靠性、穩定性問題。鄭有炓院士首先對項目的成果給予充分的肯定，他認為本項目學科跨度較大，各課題間應該加強互動，希望相關課題可以再串聯出有顯示度的成果來，滿足國家需求，突出創新性。強文義教授認為各課題目前已經超前完成了任務要求，他提議各課題應更加注重協同創新，并將課題六更充分的集成到整個項目中去。
為了加強各課題的互動，充分的調動起青年科研人員的積極性，鼓勵創新，項目組在此次會中還舉辦了“973項目青年科學家論壇”。課題負責人南京大學長江學者陸海教授、清華大學微電子學研究所副所長王燕教授等項目骨干展示了各課題最新的突出成果，為科研人員起到了良好的示范作用。
與會專家組成員和項目骨干合影
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