8月30日，中國科學(xué)院EDA中心舉辦邀請中芯國際(SMIC)技術(shù)研發(fā)部主任、EDA中心客座研究員張立夫博士到微電子所做學(xué)術(shù)交劉，并做題為Double Patterning Technology at 22nm/20nm Process Node（22/20納米工藝節(jié)點的二次曝光技術(shù)）的專題報告。EDA中心主任陳嵐主持交流會，來自中科院京區(qū)各科研院所的30余名科研人員參加了會議。

　　在當(dāng)今集成電路工藝的快速發(fā)展和高良率要求下， 20納米光刻工藝存在諸多挑戰(zhàn)。張立夫博士在報告中提出SMIC針對22/20納米工藝可能應(yīng)用的二次曝光技術(shù)及多種不同方法，并提出基于該技術(shù)在曝光過程中產(chǎn)生的UCC（unresolved conflict cycle）等問題及SMIC相應(yīng)解決方案的設(shè)計流程。會上，張立夫博士就相關(guān)問題與參會人員展開了熱烈討論。

　　張立夫博士，IEEE高級會員，畢業(yè)于普渡大學(xué)，現(xiàn)任中芯國際技術(shù)研發(fā)部主任，擁有資深的固體電子學(xué)背景和近20年行業(yè)經(jīng)驗，在中芯國際主管 65到32納米(high K metal gate)前沿半導(dǎo)體工藝的建模和仿真技術(shù)開發(fā)。他帶領(lǐng)的團隊致力于POST-OPC RET、CMP、eDFM、物理設(shè)計和設(shè)計規(guī)則方面的可制造性設(shè)計方法學(xué)（DFM）研究。

　　SMIC中芯國際是中科院EDA中心重要的合作伙伴。EDA中心研發(fā)的針對SMIC65納米以下工藝節(jié)點的可制造性設(shè)計工具DFMT-CMP已進入商業(yè)設(shè)計流程和服務(wù)企業(yè)用戶新階段。EDA中心與SMIC中芯國際達成了MPW多目標(biāo)芯片合作協(xié)議，目的旨在共同推動本土IC產(chǎn)業(yè)鏈的建立發(fā)展。

報告會現(xiàn)場