為促進我國半導體數(shù)值仿真領(lǐng)域的快速發(fā)展和相關(guān)學科間的交流與融合，圍繞半導體數(shù)值仿真技術(shù)中存在的問題，搭建學術(shù)交流平臺，展示成果，啟迪思路，博采眾長，合作攻關(guān)，8月23日，中國科學院微電子研究所成功舉辦了第一屆全國“半導體數(shù)值仿真技術(shù)論壇”——抗輻照數(shù)值模擬技術(shù)專題。

　　此次論壇由微電子所主辦，參會單位有航天五院511物資部、航天集團772所、西北核技術(shù)研究所、蘭州近代物理所、原子能研究院、航天八院808所、中電24所、中電29所、西安電子科技大學、西安交通大學、北京師范大學和蘇州珂晶達科技公司等12家單位，參會成員共計60多名業(yè)界專家。論壇由中科院微電子所硅器件與集成技術(shù)研究室（一室）趙發(fā)展博士主持。

　　中科院微電子所硅器件與集成技術(shù)研究室（一室）主任韓鄭生、科技處副處長熊偉致論壇開幕詞，航天五院物資部可靠性總工程師于慶奎作《數(shù)值模擬在SER評估中的應(yīng)用》報告，微電子所趙發(fā)展博士作《數(shù)值仿真在輻射效應(yīng)分析中的歷史與展望》報告，微電子所鄭中山研究員作《Hspice在SEU機理研究中的應(yīng)用及其它》報告，微電子所曾傳濱博士作《激光脈沖單粒子效應(yīng)測試影響因素研究》報告，蘇州珂晶達科技公司的設(shè)計師貢頂和沈忱分別作了《應(yīng)用geant4進行粒子模擬的一些考慮》和《SRAM芯片輻射效應(yīng)分析實例》的報告。

　　會后，會議論文集還收錄了來自西北核技術(shù)研究所研究員、中科院新疆理化所郭紅霞研究員為本次論壇撰寫的特邀報告《單粒子效應(yīng)數(shù)值模擬的幾點認識》。

　　通過此次論壇，業(yè)內(nèi)專家充分探討和交流了近年來國內(nèi)外抗輻照數(shù)值模擬仿真技術(shù)在技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用方面的現(xiàn)狀和創(chuàng)新，將富有積極性和創(chuàng)造性的意見和建議不斷匯聚。未來，中科院微電子所也將通過不斷提升技術(shù)能力和創(chuàng)新能力在中國半導體數(shù)值仿真技術(shù)領(lǐng)域繼續(xù)發(fā)揮積極作用。