5月25日，駐紐約總領(lǐng)館隆重舉辦2011年度“國家優(yōu)秀自費(fèi)留學(xué)生獎(jiǎng)學(xué)金”頒獎(jiǎng)儀式暨招待會(huì)。微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）08級(jí)畢業(yè)生管偉華，作為38名獲獎(jiǎng)?wù)咧粯s獲了“2011國家優(yōu)秀自費(fèi)留學(xué)生獎(jiǎng)學(xué)金”。

　　管偉華目前在耶魯大學(xué)讀博士4年級(jí)，專業(yè)是電子工程，2011年獲得HHMI International Student Research Fellowships。2005至2008年在微電子所讀碩士期間師從劉明研究員，針對前瞻的下一代非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，他細(xì)致開展了以納米晶浮柵存儲(chǔ)器為代表的推進(jìn)型方案和以阻變存儲(chǔ)器為代表的革命型方案的研究，并在下一代非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器學(xué)科方向和領(lǐng)域的發(fā)展起到了引領(lǐng)帶頭作用，為阻變存儲(chǔ)器和納米晶存儲(chǔ)器研究領(lǐng)域的后續(xù)研究奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

　　“國家優(yōu)秀自費(fèi)留學(xué)生獎(jiǎng)學(xué)金”由國家留學(xué)基金管理委員會(huì)于2003年設(shè)立，獎(jiǎng)勵(lì)我海外優(yōu)秀在讀博士生。評(píng)審工作由申請人所在領(lǐng)區(qū)和中國國內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域的專家按照“公開、公平、公正”的原則進(jìn)行，最終選出獲獎(jiǎng)人員。

孫國祥總領(lǐng)事為管偉華頒發(fā)獲獎(jiǎng)證書和獎(jiǎng)金