西班牙巴塞羅那自治大學 Jordi Suñé教授來微電子所進行學術交流

　　應微電子所納米加工與新器件集成技術研究室主任劉明研究員的邀請，11月2日，西班牙巴塞羅那自治大學的Jordi Su?é教授來微電子所做學術交流，并作了題為Threshold switching and memory switching in electroformed metal oxides的報告。

　　報告中，Jordi Su?é教授首先簡要介紹了其研究小組的成員以及各自的研究方向，簡述了其在氧化物可靠性領域的一些研究結果與進展。報告主要圍繞著threshold switching 與memory switching 的對比展開，以其研究小組的實驗結果為例，展示了不同實驗條件與不同器件結構下的數據結果，并且提出了QW模型來解釋電荷的隧穿機制和電阻轉變,得到了一系列的結論，最后就兩種switching 方式目前仍存在的一些問題進行討論與提問。

　　Jordi Su?é教授1989年博士畢業于巴塞羅那自治大學物理系。2002年成為巴塞羅那自治大學電子工程系的全職教授。于1996-2002 期間為電子工程系主任，并從2011年起至今繼續做電子工程系的主任。1989年秋在IMEC做過研究學者，1990年和1991在博洛尼亞大學做過訪問學者。Jordi Su?é教授在期刊或會議上發表過300多篇文章，其中有13篇IEDM 會議文章和一些約稿文章，并分別于2001, 2004, 2005, 2008, 2009年在IEEE-IRPS發表過5篇有關氧化物可靠性的指南性文章。這些文章總引用次數1900次以上，H-index 為23，并多次獲得政府和企業的多種獎項。