日前，通過近兩年的努力，國(guó)內(nèi)第一個(gè)低溫可充氣真空輻射系統(tǒng)由中科院微電子所硅器件與集成技術(shù)研究室(一室)研制成功。

　　該低溫測(cè)試系統(tǒng)由一室可靠性測(cè)試小組的劉剛、畢津順、曾傳濱等科研人員自行設(shè)計(jì)完成，其極限真空<10-7Pa，12小時(shí)靜態(tài)漏氣<0.1Pa，氣體充氣能力為1Pa—1MPa，液氮溫度連續(xù)實(shí)驗(yàn)時(shí)間>5小時(shí)。

　　通過該測(cè)試系統(tǒng)，研究人員首次測(cè)到電子元器件在液氮低溫環(huán)境下總劑量效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和封裝氣體環(huán)境對(duì)電子元器件總劑量效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明電子元器件在低溫輻射總劑量效應(yīng)影響比室溫輻射影響要惡劣數(shù)倍，即使經(jīng)室溫退火后總劑量效應(yīng)的影響仍然非常嚴(yán)重。該低溫測(cè)試平臺(tái)將為微電子所的相關(guān)電子元器件低溫環(huán)境下總劑量效應(yīng)的機(jī)理研究提供可靠和穩(wěn)定的低溫測(cè)試支撐平臺(tái)。