2017年11月15日19點(diǎn)，中科院微電子所研究員羅軍做客由中國(guó)科學(xué)院大學(xué)微電子學(xué)院主辦的“集成電路新技術(shù)及應(yīng)用”系列講座。本次講座在國(guó)科大雁棲湖校區(qū)教1-107舉行，羅軍老師為同學(xué)們帶來了題為“先進(jìn)源漏接觸技術(shù)”的精彩講座。 

　　羅老師首先為大家簡(jiǎn)要介紹了漏源硅化物技術(shù)，通過拓展區(qū)電阻和接觸電阻在器件中比重演變指出，硅化物技術(shù)對(duì)于降低漏源電阻尤其是接觸電阻至關(guān)重要。緊接著羅老師講解了硅化物技術(shù)的演變，即從到再到。幾種硅化物技術(shù)分別面臨著不同的技術(shù)挑戰(zhàn)，例如的挑戰(zhàn)就是在細(xì)線條中難以形成低阻的C54 相；Si擴(kuò)散在側(cè)墻上形成，導(dǎo)致柵與漏源短路；形成溫度高；消耗Si最多等。而硅化物有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，我們可以利用摻C或N的方式提高的熱穩(wěn)定性，并以此來制備超薄超高熱穩(wěn)定性的薄膜。

　　羅老師還向大家介紹了調(diào)制硅化物肖特基勢(shì)壘高度的常用技術(shù)：雜質(zhì)分凝技術(shù)，并且以硼和砷為例闡述了雜質(zhì)分凝對(duì)肖特基勢(shì)壘高度的影響。在此基礎(chǔ)上還有改進(jìn)的硅化物雜質(zhì)分凝技術(shù)，改進(jìn)后的技術(shù)對(duì)調(diào)制勢(shì)壘高度更加有效，可以更加顯著地降低接觸電阻。 

　　接下來老師又講解了如何控制Ni硅化物在溝道區(qū)的穿通，以及Ni硅化物技術(shù)在器件中的集成和先進(jìn)的歐姆接觸技術(shù)。

　　最后，老師對(duì)今天的報(bào)告進(jìn)行了總結(jié)：摻C和N可以將薄膜的熱穩(wěn)定性提高150；超薄外延的Ni及NiPt硅化物薄膜具有超高的熱穩(wěn)定性；三種Ni硅化策略均可以控制向溝道區(qū)的橫向侵入；集成了以上Ni硅化物技術(shù)的平面和三維器件具有良好的器件特征。 

　　講座進(jìn)入尾聲，羅軍老師與同學(xué)們進(jìn)行了互動(dòng)，并對(duì)同學(xué)們的疑問進(jìn)行了認(rèn)真解答。在這兩個(gè)小時(shí)的講解中，同學(xué)們既結(jié)合到了課堂所學(xué)，又了解了前沿的科學(xué)技術(shù)，受益匪淺。