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教育動態

中科院微電子所趙超研究員講解“延伸摩爾定律---CMOS工藝技術的歷史沿革和未來展望”

稿件來源: 發布時間:2017-11-06

  2017年11月3日晚19時,中科院微電子所研究員趙超老師做客我院主辦的“集成電路新技術及應用”系列講座,在教一207教室為國科大學子帶來了一場題為“延伸摩爾定律---CMOS工藝技術的歷史沿革和未來展望”的精彩講座。

  趙超,中國科學院微電子研究所研究員,集成電路先導工藝研發中心主任,主要從事集成電路先導工藝的研發。曾在歐洲微電子研發中心(IMEC)任資深科學家。期間,參加IMEC組織的具有重大國際影響力的集成電路先導工藝研發工業聯盟項目。在高-k金屬柵,銅互連,銅接觸,三維穿硅通孔封裝等鄰域做出重要工作,先后在國際學術期刊和會議上發表科研論文130余篇,總體引用率超過1000次,完成發明專利申請80項,其中已獲美國歐洲專授權5項。

  趙超老師將計算機的發展史作為引子,從圖靈到馮諾依曼,到里程碑式的4004處理器面世到Microsoft Windows的誕生,向同學們展示了摩爾定律對世界的改造。趙老師指出,為了實現摩爾定律的小型化戰略,設計者必須關注CMOS的速度,功耗,集成度和閾值電壓,這就要求流片的各個環節技術的革新。趙老師以數據,圖表的形式,向同學們詳細講解了主要制約摩爾定律的光刻技術在線寬,產能,套刻精度方面的不斷發展。從浸沒式光刻機,二次曝光技術到下一代光刻技術—極紫外光刻機,光刻技術的發展延長了摩爾定律的壽命。在邏輯器件方面,應變工程,降低漏電功耗的高-k金屬柵,抑制短溝道效應的FinFETs,作為近年來先進的技術,不斷運用到生產中,拯救了人們對摩爾定律的信心。

  展望未來的邏輯器件,趙老師指出FinFET向納米線FETs過渡,高遷移率FinFETs,豎直納米線FETs可能是未來研究的方向。但在后馮諾依曼時代,CMOA器件在工藝方面遲遲無法突破,摩爾定律已顯疲態,未來的發展方向還不明朗。趙老師以他對工藝研發前沿發展現狀的理解,不斷啟發著同學們對未來邏輯器件發展方向的思考。

  趙超老師以摩爾定律為切入點,介紹了CMOS工藝技術的歷史沿革和后MOS時代技術展望兩方面內容。用深入淺出的語言,幽默風趣的表達方式,帶領同學們走進了摩爾定律的世界。

 

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