2017年11月1日晚19時，中科院微電子所研究員殷華湘老師蒞臨我院主辦的“集成電路新技術及應用”系列講座，為國科大的學子帶來了精彩的專題講座“集成電路中的新器件”。
本次系列講座由中國科學院大學微電子學院主辦，共分為7個部分，內容涵蓋了集成電路的設計、關鍵器件以及先進工藝等方面。主講人均由來自于中科院微電子所得優秀導師擔任。
殷華湘老師，中國科學院微電子研究所研究員，主要從事先進集成電路技術、新型氧化物傳感器件的研究。迄今發表超過30余篇學術論文，進行10余次的國際學術報告，曾承擔或參與的科研項目有：重大專項項目“22納米關鍵工藝技術先導研究與平臺建設等，目前擁有國內外專利申請100余項，其中美國專利超過30余項。
在本次講座中，殷老師利用詳細的數據和直觀的曲線圖以核心器件—MOS晶體管摩爾定律尺寸微縮、集成度、性能大幅提高為發展主線，分析了邏輯集成電路（IC）發展趨勢；同時介紹了現今MOS晶體管的關鍵技術挑戰，指出若要革新技術，便要提升性能、減少功耗。
殷老師指出，3D FinFET是兼容主流IC平面工藝的新器件，其技術已成為IC國際產業界的主流技術，但是國內目前落后2~3個技術代，老師教導我們新一代的年輕人要擔負起集成電路器件發展的重擔，用我們的勤奮和智慧縮小與國外的技術差距。
最后，殷老師總結到：環柵納米線與高遷移率溝道新器件是Post-FinFET的主要發展方向，前者較為成熟，而后者仍然面臨不少挑戰；另外，Beyond Moore等新原理器件是IC突破晶體管能效發展限制的基本方式，但受技術限制，其綜合性能指標目前相比最新硅基MOSFET仍具有較大差距。
在歷時2個小時零20分鐘的講座中，殷老師詳細的數據、形象的圖表向同學們展示了各新型器件技術及優勢，同學們紛紛表示收獲頗多，感謝老師的傳道受業解惑。
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