10月27—31日，中科院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)2020年學(xué)術(shù)年會(huì)暨“青促會(huì)講堂”在武漢召開(kāi)。微電子所青促會(huì)組長(zhǎng)王盛凱研究員、副組長(zhǎng)彭松昂副研究員、秘書(shū)組卜建輝副研究員代表微電子所青促會(huì)參加了會(huì)議。 

　　王盛凱出席了中科院青促會(huì)年度工作會(huì)議，與院內(nèi)各兄弟單位的青促會(huì)代表共同學(xué)習(xí)了習(xí)近平總書(shū)記和白春禮院長(zhǎng)的講話，學(xué)習(xí)了優(yōu)秀分會(huì)及優(yōu)秀小組的先進(jìn)經(jīng)驗(yàn)，并就青促會(huì)建設(shè)中的遇到的問(wèn)題和解決方案同與會(huì)代表進(jìn)行了分享和討論。 

　　在工程與裝備分會(huì)場(chǎng)，王盛凱作了題為《基于高壓微波等離子體氧化方法的新型SiC MOS柵氧技術(shù)》的報(bào)告，介紹了SiC MOS所面臨的難點(diǎn)問(wèn)題以及基于高壓微波等離子體的新型氧化方法，探討了該方法在解決SiC MOS柵氧中碳?xì)埩羧毕莘矫娴膬?yōu)勢(shì)。 

　　彭松昂主持了信息與管理科學(xué)分會(huì)場(chǎng)，并作了題為《石墨烯射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究”的報(bào)告》，介紹了當(dāng)前石墨烯射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管面臨的挑戰(zhàn)及研究現(xiàn)狀，報(bào)告了石墨烯射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管關(guān)鍵工藝及器件物理方面的研究成果。 

      與會(huì)人員就感興趣的話題進(jìn)行了深入討論。本次會(huì)議對(duì)推動(dòng)微電子與兄弟院所的交流合作、促進(jìn)交叉創(chuàng)新發(fā)揮了積極作用。