10月22日，微電子所光電研發(fā)中心在北京新技術(shù)基地舉行EUV光刻及掩模檢測(cè)學(xué)術(shù)交流會(huì)，邀請(qǐng)瑞士保羅謝勒研究所Yasin 教授作了題目為“EUV lithography and Metrology for more Moore”的交流報(bào)告。光電研發(fā)中心30多名職工、研究生參加了交流會(huì)。交流會(huì)由光電研發(fā)中心主任周維虎研究員主持。 

　　Yasin教授在報(bào)告中介紹了未來(lái)后摩爾時(shí)代的EUV光刻技術(shù)及測(cè)量技術(shù)，進(jìn)一步介紹了基于同步輻射的EUV光刻技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，詳細(xì)介紹了不同類型光刻膠在EUV波段干涉光刻曝光特性研究進(jìn)展，對(duì)未來(lái)5納米及以下光刻技術(shù)進(jìn)行了展望。他結(jié)合自身科研工作，詳細(xì)介紹了基于同步輻射光源的疊層成像技術(shù)在EUV掩模檢測(cè)中的優(yōu)勢(shì)，對(duì)瑞士保羅謝勒研究所下一步在EUV掩模檢測(cè)方面的研究工作進(jìn)行了展望，并對(duì)未來(lái)10納米以下有圖形晶圓檢測(cè)和測(cè)量的技術(shù)趨勢(shì)以及同步輻射源在該領(lǐng)域的應(yīng)用可能性進(jìn)行論證。 

　　參會(huì)人員就EUV光刻技術(shù)及掩模檢測(cè)技術(shù)同Yasin教授進(jìn)行了廣泛、深入的討論和交流，并對(duì)與瑞士保羅謝勒研究所的未來(lái)合作提出了設(shè)想和期望。 

交流會(huì)現(xiàn)場(chǎng)