10月12日，由中國科學院集成電路創(chuàng)新研究院（籌）工藝總體部策劃并組織的“集成電路先導技術系列研討會——器件可靠性與仿真模型技術”第二次會議在微電子所舉辦。微電子所黨委副書記（主持工作）、副所長、集成電路創(chuàng)新研究院籌建組副組長戴博偉出席并致辭。所長助理、先導中心主任王文武，成都電子科大劉志偉副教授，中芯國際張啟華總監(jiān)、卜偉海總監(jiān)、王文博經(jīng)理、丁艷麗主任工程師特邀出席，微電子所都安彥、韋亞一、殷華湘、謝玲、楊濤、羅軍、劉琦、吳振華、楊紅等科研骨干參加研討會。 

　　研討會包括“集成電路可靠性與失效分析技術”和“納米器件TCAD仿真技術研究”兩個主題。殷華湘研究員首先介紹了微電子所的發(fā)展歷程、科研方向和研究成果，以及中國科學院集成電路創(chuàng)新研究院（籌）的籌建思路、未來規(guī)劃和任務使命。 

　　在“集成電路可靠性與失效分析技術”研討分會場，北京大學王潤聲副教授介紹了16/14納米及以下節(jié)點的偏壓溫度不穩(wěn)定性和熱載流子退化的壽命預測模型的研究成果，展望了未來可靠性領域隨機電報噪聲的研究方向。華東師范大學吳幸研究員介紹了器件可靠性在物理層面的表征分析方法，展示了基于MEMS加工技術的透射電子顯微鏡表征平臺及其在研究器件結構和性能的調(diào)控關系方面的應用。浙江大學趙毅教授介紹了實驗室自主搭建的超快速測試平臺及其在器件參數(shù)提取和可靠性測試表征方面的研究成果。山東大學陳杰智教授介紹了存儲器從二維到三維轉型的必要性和合理性，3D NAND存儲器需要在二維存儲器上借鑒的地方，以及芯片可靠性測試、工藝優(yōu)化、材料設計三者的相關性。華為海思劉長澤總監(jiān)探討了未來先進節(jié)點可能用到的工藝技術及相應的可靠性問題。芯恩肖德元副總裁介紹了無結晶體管的發(fā)展歷史，并展示了在先進節(jié)點的器件制造方法方面的專利成果。 

　　在“納米器件TCAD仿真技術研究” 研討分會場，中科院半導體所姜向偉研究員介紹了數(shù)值模擬發(fā)展的趨勢，密度泛函理論在新器件性能和芯片可靠性方面的應用，以及密度泛函理論在面向工業(yè)級全器件模擬方面的展望。上海大學陳競哲副教授介紹了器件TCAD的概念和TCAD的發(fā)展背景，闡述了格林函數(shù)在處理量子輸運的優(yōu)勢和用有限元基底替代DFT原子軌道基底的優(yōu)勢，并展示了產(chǎn)品對納米線、FinFET器件特性的預測能力。 

　　與會人員還針對創(chuàng)新研究院未來發(fā)展，特別是器件可靠性及失效分析和TCAD仿真方向進行了技術交流，對創(chuàng)新研究院的發(fā)展提出了良好的意見建議。