香港理工大學Yang Chai博士來微電子所訪問交流

　　8月29日，香港理工大學Yang Chai博士來微電子所進行學術交流，并作了題為“Two-Dimensional Layered Materials for Nanoelectronics- Interconnect and Transistor”的學術報告。微電子所微電子重點實驗室呂杭炳研究員主持交流會。來自全所各部門的40余名科研人員、研究生參加了交流會。 

　　Chai博士在報告中詳細闡述了基于二維層狀材料的互連和晶體管，指出采用石墨烯層作為Cu互聯的屏蔽層，可防止銅離子的遷移，抑制電化學反應，減少銅互聯與SiO2接口處的銅離子密度。他詳細介紹了基于二維材料PtSe2的電子器件的特性，基于PtSe2的場效應晶體管在室溫中有高的遷移率（~210 cm2V-1s-1），塊狀PtSe2器件具有金屬般的電導率（6.64×105 S / m），通過調節PtSe2的禁帶寬度可以使其對近紅外光快速響應。報告結束后，與會人員就二維材料的制備與應用等領域同Chai博士進行了熱烈的學術討論。 

　　Yang Chai博士現任香港理工大學應用物理學院助理教授，IEEE電子器件學會杰出講師，2014年獲香港研究資助局頒發的“早期職業獎”，研究領域為低維材料和電子器件。