6月9日，韓國(guó)浦項(xiàng)科技大學(xué)教授Hyunsang Hwang來(lái)微電子所進(jìn)行學(xué)術(shù)交流并作了題為“Analog synapse devices based on interface resistive switching for neuromorphic system”的學(xué)術(shù)報(bào)告。微電子所劉明院士主持會(huì)議。相關(guān)部門(mén)科研人員、研究生共40余人參加了交流會(huì)。

　　Hwang在報(bào)告中介紹了在神經(jīng)元系統(tǒng)中的基于界面電阻轉(zhuǎn)變的突觸模擬器件。其所在課題組利用在金屬/氧化物界面的氧化還原反應(yīng)開(kāi)發(fā)了突觸模擬器件。與細(xì)絲性阻變器件相比，界面電阻轉(zhuǎn)變器件具有良好的一致性和轉(zhuǎn)變區(qū)域可伸縮性等特點(diǎn)。通過(guò)控制金屬電極的氧化反應(yīng)和阻變層中的氧濃度，可以調(diào)節(jié)不同狀態(tài)下的電導(dǎo)。課題組制備的高密度突觸陣列器件具有良好的電阻轉(zhuǎn)變一致性。通過(guò)調(diào)節(jié)電導(dǎo)變化的線(xiàn)性度和對(duì)稱(chēng)性，可以確定手寫(xiě)數(shù)字模式識(shí)別的準(zhǔn)確性。課題組還發(fā)現(xiàn)具有線(xiàn)性和對(duì)稱(chēng)性電導(dǎo)變化的突觸器件可以提高模式識(shí)別的精度。與會(huì)人員就阻變存儲(chǔ)器、神經(jīng)元突觸等領(lǐng)域與Hwang教授進(jìn)行了熱烈的學(xué)術(shù)討論。

　　Hyunsang Hwang現(xiàn)任韓國(guó)浦項(xiàng)科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、韓國(guó)科學(xué)技術(shù)學(xué)院院士、IEEE 電子器件學(xué)會(huì)的高級(jí)會(huì)員，研究領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件及工藝，發(fā)表期刊論文330篇，申請(qǐng)專(zhuān)利120項(xiàng)。

　　會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)