5月18日，美國羅徹斯特大學教授Thomas Y. Hsiang、新加坡南洋理工大學教授Xing Zhou和香港理工大學教授Charles Surya來微電子所進行學術交流。微電子所吳德馨院士、劉明院士及科研人員、研究生共50余人參加了交流會。

　　Thomas Y. Hsiang作了題為“Ultrafast Studies: Capturing Electrical Events on a picosecond Time Scale”的學術報告，回顧了皮秒脈沖激光器的歷史發(fā)展和利用皮秒脈沖激光器獲得器件瞬變特性的典型案例。其課題組采用激光脈沖來激發(fā)、測量電氣和電子瞬變特性，可以描述多款器件的超快（~ 1 ps）和超寬帶（~ 1太赫茲）的屬性。

　　Xing Zhou作了題為“Future III-V/CMOS Co-Integrated Technology and Hybrid Circuit Design”的學術報告。介紹了新加坡—麻省理工研究和技術聯(lián)盟—低能量電子系統(tǒng)程序的概述以及可應用在未來異構集成電路中的混合III-V族+ CMOS技術中通用的基于GaN /InGaAs的高電子遷移率晶體管統(tǒng)一的緊湊模型。該模型已被混合III-V族/CMOS代工流程設計工具在設計基于III-V族/ Si集成技術的異構電路中實現(xiàn)。

　　Charles Surya作了題為“Investigation of High Efficiency Perovskite-based Solar Cells”的學術報告，概述了提高鈣鈦礦太陽能電池的功率轉換效率方法，展示了幾種生長高質量鈣鈦礦CH3NH3PbI3薄膜的技術，詳細探究了在混合化學真空鍍膜過程中，采用N2/O2運載氣體，導致功率轉換效率顯著增強的方法及原因。

　　會上，與會聽眾與三位專家就感興趣的話題進行了熱烈的學術討論。

　　Thomas Y. Hsiang現(xiàn)任美國羅切斯特大學的教授，美國物理學會的會士，曾獲τβπ工程卓越教學獎，發(fā)表了學術論文120篇，研究領域涵蓋光子學、超快科學、超導器件和半導體電子器件等。Xing Zhou現(xiàn)任南洋理工大學電氣電子工程學院教授，IEEE EDS distinguished講師，累計主講IEEE EDS報告140多場，研究領域為納米級CMOS緊湊模型。 Charles Surya現(xiàn)任香港理工大學電子信息工程系教授，IEEE光電器件技術委員會主席，研究領域為半導體材料和器件在光電上的應用。

　　Thomas Y. Hsiang作報告

　　Xing Zhou作報告

　　Charles Surya作報告