9月27日，法國原子能委員會電子與信息技術實驗室（CEA-LETI）硅技術器件研究中心原首席科學家Simon Deleonibus博士來微電子所進行學術交流，并作了題為“The Energy and Variability Efficient Era (E.V.E.) is ahead of us”的學術報告。微電子所劉明院士主持交流會，40余名職工、研究生參加了交流會。
Simon Deleonibus在報告中指出零內在變異性和零功耗是信息通訊技術的未來發展趨勢。目前硅器件和薄膜器件在尺寸不斷縮小，但內在變異性和功耗等方面出現了瓶頸。他從新材料和新結構等方面介紹了實現零內在變異性和零功耗的途徑，例如采用接近分子和原子尺寸的新活性材料集成器件來實現零內在變異性，采用3D結構集成可以在系統和功能層面實現零功耗等。這種新想法引起了與會人員的強烈共鳴，大家就如何減少器件功耗等問題與Simon Deleonibus進行了熱烈的學術討論。
Simon Deleonibus博士曾任法國原子能委員會電子與信息技術實驗室硅技術器件研究中心首席科學家，2016年1月退休，現任IEEE EDS秘書及第8區主席，發明的接觸插頭原理成為半導體產業在互連過程中廣泛使用的標準。
報告會現場
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