9月8日，臺灣交通大學Steve S. Chung教授來微電子所進行學術交流，并作了題為“A New Architecture of Single-transistor NVM Feasible for Embedded Applications”的學術報告。微電子所微電子重點實驗室研究員龍世兵主持交流會。全所科研人員、研究生共40余人參加了交流會。
Steve S. Chung在報告中指出，阻變存儲器（RRAM）由于制備簡單、與CMOS兼容等優點，被認為是替代閃存的潛在候選。然而，RRAM在電路中的串擾問題、forming過程和一致性問題減緩了其產業化進程。他介紹了晶體管電阻柵的非易失存儲器器件，該器件結構與閃存類似，但在晶體管柵上有一個簡單的MIM（電極-絕緣介質層-電極）結構，且讀出數據取決于晶體管的閾值電壓（Vth）或漏極電流（Id）。采用雙層絕緣介質層的MIM結構的器件具有耐久性好、存儲窗口大、數據保持特性良好等特點，可有效解決傳統RRAM交叉陣列結構中的串擾問題和forming過程。晶體管電阻柵結構的非易失存儲器器件優于第一代浮柵和第二代SONOS 非易失存儲器，與邏輯CMOS技術完全兼容，適合于NOR型和NAND型存儲器，可應用于嵌入式電路。他同與會人員就基于新結構的非易失存儲器及其應用等領域進行了學術討論。
Steve S. Chung現任臺灣交通大學特聘教授和UMC研究客座教授，同時擔任世界上兩大的晶圓代工業——臺積電和聯電在CMOS和快閃記憶體技術方面開發的顧問，研究領域包括Nanscale CMOS器件、閃存、界面特性和可靠性建模等。
交流會現場
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