9月6日，美國馬薩諸塞大學J. Joshua Yang教授來微電子所進行學術交流，并作了題為“Challenges and solutions for memristors used for memory and neuromorphic computing”的學術報告。微電子所劉明院士主持交流會，全所科研人員、研究生共40余人參加了交流會。
Yang在報告中介紹了采用選擇器的非線性電流電壓特性來解決憶阻器交叉陣列結構中的串擾問題以及神經形態計算等。其制備的超過1010非線性電流電壓特性的選擇器已應用在基于憶阻器的交叉陣列結構中。鑒于在神經形態計算中，Ca2+的積累和擴散對生物突觸的變化有重要作用，他開發了在功能氧化物中摻雜Ag的憶阻器，在電子設備中模仿這個基本突觸動態過程。該憶阻器及其動力學可以直接模擬生物神經突觸動態過程。Yang同與會人員就新型存儲器及其應用等領域進行了交流。
J. Joshua Yang現任美國馬薩諸塞大學電子與計算機工程系教授，研究興趣是納電子學和納離子學及在能源和計算中的應用，先后發表學術期刊論文100余篇。
交流會現場
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