6月8日，北京航空航天大學趙巍勝教授應邀到微電子所做學術交流，并作了題為《自旋存儲器最新進展》的報告。微電子所科研人員、研究生共30余人參加了交流會。 

　　趙巍勝在報告中介紹了自旋磁存儲器國際行業(yè)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及研究進展，指出使用自旋電子的自旋屬性設計新型器件，是降低半導體技術發(fā)展中功耗的關鍵技術之一，未來10年STT-MRAM將有可能代替Static RAM及Dynamic RAM。在國外，傳統(tǒng)的磁存儲器已批量應用于高可靠性電子系統(tǒng)，并產(chǎn)生了良好的經(jīng)濟和社會效益。在國內(nèi)，由于材料、器件制備、電路設計及系統(tǒng)級整合等挑戰(zhàn)，STT-MRAM產(chǎn)業(yè)化的步伐一直滯后。趙巍勝詳細介紹了當前廣泛關注的基于界面垂直磁各向異性的STT-MRAM所面臨的挑戰(zhàn)與機遇。與會人員就自旋存儲器及相關技術問題與趙巍勝進行了交流。 

　　趙巍勝現(xiàn)任北京航空航天大學自旋電子交叉學科研究中心主任、法國國家科學研究中心終身研究員，長期從事自旋電子學、新型信息器件、非易失存儲器等領域的交叉研究，出版學術專著2部，發(fā)表論文200余篇，在自旋電子領域申請專利40余項。 

會議現(xiàn)場