10月19—21日，微電子所硅器件與集成研發(fā)中心科研人員應(yīng)邀參加2015年電子元器件輻射效應(yīng)國(guó)際會(huì)議（ICREED-2015）。 

　　ICREED會(huì)議主要涉及輻射環(huán)境下電子材料、器件及系統(tǒng)的輻射損傷效應(yīng)和機(jī)理、加固工藝、加固設(shè)計(jì)及評(píng)價(jià)技術(shù)，是相關(guān)領(lǐng)域具有重要影響力的國(guó)際會(huì)議。本次會(huì)議邀請(qǐng)了美國(guó)、德國(guó)、俄羅斯、意大利、烏克蘭、歐洲空間局及國(guó)內(nèi)著名空間輻射效應(yīng)專家作特邀報(bào)告。 

　　本次會(huì)議，微電子所共提交了5篇學(xué)術(shù)論文，內(nèi)容涵蓋SOI電路和VDMOS器件相關(guān)可靠性、輻照效應(yīng)和加固技術(shù)等領(lǐng)域。與會(huì)期間，微電子所科研人員通過會(huì)議演講、海報(bào)、展板和研討交流等方式介紹了微電子所在高可靠集成電路技術(shù)領(lǐng)域的科研進(jìn)展和取得的成績(jī)，并與國(guó)內(nèi)外參會(huì)專家進(jìn)行了深入溝通和探討，進(jìn)一步拓展了國(guó)際視野，提升了微電子所科研工作的國(guó)內(nèi)外影響力。 

 
參會(huì)人員合影