7月3日，微電子所青促會(huì)小組舉辦2015年第四期“微電子技術(shù)創(chuàng)新論壇”，邀請(qǐng)南開大學(xué)教授王衛(wèi)超作了題為《高速電子器件材料III-V半導(dǎo)體表面和界面的氧化和鈍化》的報(bào)告。微電子所科研人員、學(xué)生共30余人參加了交流會(huì)。交流會(huì)由所青促會(huì)小組組長(zhǎng)畢津順主持。 

　　III-V族半導(dǎo)體被認(rèn)為是有希望代替硅的溝道材料。近年來(lái)，關(guān)于III-V族半導(dǎo)體的研究備受重視。然而，迄今為止還沒有真正意義的III-V族半導(dǎo)體集成電路問(wèn)世，根本原因在于難以形成高質(zhì)量的高介電氧化物/III-V族半導(dǎo)體界面。粗糙的界面被學(xué)術(shù)界和工業(yè)界認(rèn)為是造成溝道載流子散射的直接原因，也成為整個(gè)高速電子器件發(fā)展的瓶頸所在。 

　　王衛(wèi)超介紹了南開大學(xué)在III-V族材料表面和界面的原子、電子結(jié)構(gòu)的研究工作。其所在的研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)分析III-V族半導(dǎo)體表面氧化過(guò)程，深入理解費(fèi)米能級(jí)釘扎機(jī)制，探索出表面鈍化去除釘扎的方案，在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步探索界面穩(wěn)定性能、界面能帶臺(tái)階、電子態(tài)與界面成鍵的關(guān)系，從理論上調(diào)節(jié)界面成鍵以優(yōu)化界面性能，為實(shí)現(xiàn)III-V族半導(dǎo)體材料在高速電子器件中的實(shí)際應(yīng)用提供理論依據(jù)。與會(huì)人員就III-V半導(dǎo)體材料、器件、表面和界面以及第一性原理等相關(guān)技術(shù)問(wèn)題與王衛(wèi)超進(jìn)行了交流。  

　　王衛(wèi)超現(xiàn)任南開大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師，2011年獲德州大學(xué)達(dá)拉斯分校材料與工程系博士學(xué)位，近三年共發(fā)表學(xué)術(shù)論文38篇。 

交流會(huì)現(xiàn)場(chǎng)