4月15日，微電子所青促會(huì)舉辦2015年第二期“微電子技術(shù)創(chuàng)新論壇”，邀請(qǐng)北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝作了題為《自旋存儲(chǔ)器（STT-MRAM）當(dāng)前的挑戰(zhàn)及機(jī)遇》的報(bào)告。微電子所副總工程師韓鄭生研究員、微波器件與集成電路研究室（四室）主任金智研究員、科研人員及研究生共30余人參加了交流會(huì)。交流會(huì)由所青促會(huì)會(huì)長(zhǎng)畢津順主持。  

　　趙巍勝在報(bào)告中指出，隨著半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展遇到功耗瓶頸，使用自旋電子的自旋屬性設(shè)計(jì)新型器件，被廣泛認(rèn)為是解決功耗瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)之一。當(dāng)前，英特爾、高通、三星等國(guó)際大型半導(dǎo)體公司都在全力研發(fā)自旋電子存儲(chǔ)芯片并進(jìn)行專利積累從而繼續(xù)壟斷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)計(jì)算芯片。在我國(guó)，雖然傳統(tǒng)的磁存儲(chǔ)器（MRAM）已大量應(yīng)用于高可靠性領(lǐng)域并產(chǎn)生了巨大的經(jīng)濟(jì)價(jià)值，但STT-MRAM的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化步伐一直被推后。趙巍勝詳細(xì)介紹了當(dāng)前被廣泛關(guān)注的基于界面垂直磁各向異性STT-MRAM的研發(fā)進(jìn)展以及面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。與會(huì)人員就自旋存儲(chǔ)器及相關(guān)技術(shù)問(wèn)題與趙巍勝進(jìn)行了交流，大家均表示收獲良多。  

　　趙巍勝現(xiàn)任北京航空航天大學(xué)自旋電子交叉學(xué)科研究中心主任，法國(guó)國(guó)家科學(xué)研究中心終身研究員；出版學(xué)術(shù)專著2部，發(fā)表論文100余篇，授權(quán)國(guó)際發(fā)明專利4項(xiàng)；擔(dān)任多個(gè)SCI期刊編委和國(guó)際刊物固定評(píng)閱人。 

交流會(huì)現(xiàn)場(chǎng)