3月30日，國(guó)家納米科學(xué)中心何軍研究員來微電子所進(jìn)行學(xué)術(shù)交流，并作了題為《低維金屬硫族化合物的可控制備及其電子和光電子器件》的學(xué)術(shù)報(bào)告。微電子所科研人員、學(xué)生共30余人參加了交流會(huì)。交流會(huì)由八室陳波研究員主持。 

　　何軍指出金屬硫族半導(dǎo)體材料具有許多優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，如具有適合吸收太陽(yáng)能的帶隙、元素含量相對(duì)較高及直接帶隙等。因此，在電子、光電子和能源器件方面具有重要應(yīng)用潛力，成為近年來的研究熱點(diǎn)。與其他材料相比，低維金屬硫族半導(dǎo)體材料具有更高的比表面積及尺寸效應(yīng)引起的新奇量子效應(yīng)，將進(jìn)一步增強(qiáng)其電子學(xué)等性能。但金屬硫族化合物自補(bǔ)償效應(yīng)強(qiáng)，蒸汽壓差別較大，在低維材料合成過程中很容易引入缺陷，嚴(yán)重影響其物理和化學(xué)性質(zhì)，進(jìn)而制約基于低維金屬硫族化合物奇異量子效應(yīng)的研究及應(yīng)用。何軍介紹了其課題組通過生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)控制，運(yùn)用CVD法成功制備新型低維金屬硫族化合物并發(fā)展了基于低維金屬硫族化合物及其復(fù)合結(jié)構(gòu)的高效率光電電子器件方面取得的進(jìn)展。與會(huì)人員就技術(shù)問題同何軍進(jìn)行了深入的交流和探討。 

　　何軍研究員畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，獲工學(xué)博士學(xué)位。現(xiàn)為國(guó)家納米科學(xué)中心博士生導(dǎo)師，主要從事低維硫族半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)、物理性質(zhì)及器件，電子、光電子和光子信息器件，多元復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)及在能源電子學(xué)和光電子學(xué)的應(yīng)用等方面的研究。 

交流會(huì)現(xiàn)場(chǎng)